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gan基蓝光led高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了gan材料和gan基蓝光led器件结构的发展,阐述了为改善led性能的一些新措施,led在照明光源上的应用优势,给
https://www.alighting.cn/2014/10/11 11:37:06
通过实验主要研究了it o 导电膜的退火对蓝光led 光电参数的影响, 发现经过ito退火工艺的芯片比没有it o 退火的芯片正向压降低0. 2 v 以上,亮度一致性更高, 这为提
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124218.htm2014/10/11 10:18:16
静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的led 性能退化。
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34
在si衬底gan 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜,使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
采用440 nm短波长ingan/gan基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led,研究了不同胶粉配比对led发光性能的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20141008/124238.htm2014/10/8 10:13:30
研究了不同能量的电子束辐照对 gan 基发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对 gan 基 le
https://www.alighting.cn/resource/20140926/124256.htm2014/9/26 11:56:32
肖特基二极管由于正向压降而消耗功率,所产生的热量必须用pcb上专门的铜箔区散出,或者通过由螺栓固定到二极管上的散热器散出,这两种散热方式都需要占用很大的空间。
https://www.alighting.cn/resource/20140926/124259.htm2014/9/26 10:46:46
本文设计的led主要包括:封装基板、蓝光led芯片、红光led芯片和黄绿色荧光粉,封装基板由铝基覆铜板和铝板组成良好的封装工艺是决定器件性能、可靠性和寿命的关键。
https://www.alighting.cn/resource/20140822/124329.htm2014/8/22 10:01:46
配置背光的一种标准方法是使用两个分立式器件: 一个采用dpak封装的100 v mosfet,以及一个同样采用dpak封装的100 v肖特基二极管。led背光单元中,肖特基二极
https://www.alighting.cn/2014/8/21 10:25:27
igzo为铟镓锌氧化物的缩写,非晶igzo材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料。amoled是有源矩阵有机发光二极体面板。相比传统的液晶面板,amoled具有反应速度较快
https://www.alighting.cn/2014/8/18 11:03:46