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效激发,发射峰值位于615nm(eu3+离子的5D0→7f2跃迁)的红光
https://www.alighting.cn/2011/10/24 15:09:16
光(395nm)有效激发,产生eu3+的5D0→7f2特征跃迁红光发射(616n
https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:50:26
射,1日1次,共10D。其后观察各组的病理变化,血清过氧化损伤水
https://www.alighting.cn/2011/10/19 14:04:47
配。在紫外激发下的发射峰由位于490nm(5D4-7f6)、545nm(5D4-7f5)、585nm(5D4-7f4)、622nm(5D4-7f3)的四组线状峰构成,对应tb3
https://www.alighting.cn/2011/9/29 14:12:32
以提高n在zno的固溶度。研究表明:n掺杂zno体系,由于n-2p和zn-3D态电子轨道杂化作用,在费米能级附近引入深受主能级,价带顶和导带底发生位移,导致禁带宽带变窄。而al-n
https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:02:55
irs2530D是一款由ir公司新近推出的采用紧凑型8引脚、半桥驱动的荧光灯可调光电子镇流器控制用ic,irs2530D采用状态机控制方式来实现有关控制功能。irs2530D提
https://www.alighting.cn/2011/9/15 9:17:27
用下硅氢加成硫化成型,获得折射率n2D51.5000,透光率大于90%(400 nm~800 nm,10 mm)的凝胶型发光二级管(leD)封装材
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127153.htm2011/9/14 9:13:11
采用高温固相法合成了绿色荧光粉caba2(bo3)2∶tb3+并对其发光特性进行了研究。发射峰值位于496,549,588,622 nm,分别对应tb3+的5D4→7f6、5D4
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127187.htm2011/9/7 9:32:56
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127241.htm2011/8/29 15:54:05
本文档为台湾新世纪blue ingangan leD chip D6 (12x13) leD芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127376.htm2011/7/28 18:00:40
