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报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。
https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44
gan基蓝光led高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了gan材料和gan基蓝光led器件结构的发展，阐述了为改善led性能的一些新措施，led在照明光源上的应用优势，给
https://www.alighting.cn/2014/10/11 11:37:06
静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的led 性能退化。
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34
在si衬底gan 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
采用440 nm短波长ingan/gan基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led,研究了不同胶粉配比对led发光性能的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20141008/124238.htm2014/10/8 10:13:30
研究了不同能量的电子束辐照对 gan 基发光二极管(light emitting diode，led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射，对 gan 基 le
https://www.alighting.cn/resource/20140926/124256.htm2014/9/26 11:56:32
肖特基二极管由于正向压降而消耗功率，所产生的热量必须用pcb上专门的铜箔区散出，或者通过由螺栓固定到二极管上的散热器散出，这两种散热方式都需要占用很大的空间。
https://www.alighting.cn/resource/20140926/124259.htm2014/9/26 10:46:46
本文设计的led主要包括：封装基板、蓝光led芯片、红光led芯片和黄绿色荧光粉，封装基板由铝基覆铜板和铝板组成良好的封装工艺是决定器件性能、可靠性和寿命的关键。
https://www.alighting.cn/resource/20140822/124329.htm2014/8/22 10:01:46
配置背光的一种标准方法是使用两个分立式器件： 一个采用dpak封装的100 v mosfet，以及一个同样采用dpak封装的100 v肖特基二极管。led背光单元中，肖特基二极
https://www.alighting.cn/2014/8/21 10:25:27
