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长晶炉加热体经使用5～6炉后长晶后，钨、钼、不锈钢金属及蓝宝石中的微量金属杂质等在2500℃高温环境下升华在加热体的钨杆上逐步沉积，致使加热体钨杆直径逐渐变粗的现象。
https://www.alighting.cn/2014/7/1 18:46:11
蓝宝石衬底虽然受到来自si与gan衬底的挑战，但是考虑到成本与良率，蓝宝石在近两年内仍然具有优势，可以预见接下来蓝宝石衬底的发展方向是大尺寸与图案化(pss)。由于蓝宝石硬度仅次
https://www.alighting.cn/resource/20121018/126325.htm2012/10/18 10:48:12
介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种x光衍射方法对
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12
研究了在分子束外延制备的aln/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂gan的材料性质.采用x射线衍射(xrd)、透射电镜(tem)和原子力显微镜研究了aln模
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127233.htm2011/8/30 13:29:11
为回避日亚化学的蓝光led 加萤光粉制技术专利，各业者纷纷投入其它能达到散发出白光的led 技术，目前最被期待的技术是利用uv led 来达到白光的目的，但是，uv led 仍旧有
https://www.alighting.cn/resource/20131126/125078.htm2013/11/26 16:34:31
利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属ga薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个ga薄层的引入完全抑制了导致zn
https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49
本工作对比研究了蓝宝石图形衬底(pss)和平面衬底(non-pss)上制备gan基45mil功率型led芯片的光电特性。相比较平面衬底，在pss衬底上制备的大功率芯片的发光效率提
https://www.alighting.cn/resource/20130305/125961.htm2013/3/5 10:44:44
采用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上制备了氧化铟锡(ito)透明氧化物薄膜;研究了不同厚度薄膜的结构、光学和电学特性。经x射线衍射(xrd)测量,发现在蓝宝石衬底上生长的ito薄膜呈
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23
高亮度 led 制造如今是否应该更加重视工艺控制？如果答案是肯定的，那么我们该从传统的硅基集成电路制造中学到什么经验？
https://www.alighting.cn/2014/3/13 11:33:06
、原子力显微镜、透射光谱以及光致发光光谱等表征技术,研究了zno/mgo多量子阱的结构、表面形貌和光致发光等特性.xrd以及扫描的结果表明多层膜样品具有高c轴择优取向并且与蓝宝石基
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
