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外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。
https://www.alighting.cn/resource/20140317/124774.htm2014/3/17 14:20:22
高亮度 led 制造如今是否应该更加重视工艺控制？如果答案是肯定的，那么我们该从传统的硅基集成电路制造中学到什么经验？
https://www.alighting.cn/2014/3/13 11:33:06
近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
制及其它电子器件结构生长的一个关健问题。近年来, 随着工艺的发展, gan晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在si衬底上制造出led。介绍了gan薄膜开裂问题及近期硅衬
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具有垂直结构的gan 基led, 并对其电学和光学特性进行了测
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
目前工研院已成功建立高温常压磊晶机台，更已在gan on gan技术上深耕多年，从早期的hvpe氮化镓基板成长到目前的蓝紫光led磊晶技术，技术面皆已突破现今gan on sapp
https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22
本文通过对蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备正装高压发光二极管(hv led) ，其产业化光效已超过 110lm/w;10μa
https://www.alighting.cn/resource/2013/10/29/104737_35.htm2013/10/29 10:47:37
对于制作led芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和led器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底
https://www.alighting.cn/resource/20131028/125183.htm2013/10/28 15:04:32
为了获得大功率led器件，有必要准备一个合适的大功率led面板灯芯片。国际社会通常是大功率led芯片的制造方法归纳如下。
https://www.alighting.cn/resource/20131025/125196.htm2013/10/25 10:31:08
