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、原子力显微镜、透射光谱以及光致发光光谱等表征技术,研究了zno/mgo多量子阱的结构、表面形貌和光致发光等特性.xrd以及扫描的结果表明多层膜样品具有高c轴择优取向并且与蓝宝石基
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
在蓝宝石基片上,以ceo2为缓冲层制备了高质量的双面tl2ba2cacu2o8(tl-2212)超导薄膜。以金属铈靶作为溅射源生长了c轴取向的ceo2缓冲薄膜,并对ceo2薄膜进
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42
利用含3%(质量分数)水的乙醇为碳源,在a面(11-20)蓝宝石单晶表面合成了平行于[1-100]晶格方向的单壁碳纳米管阵列,并用afm,sem和raman对其进行了表征.阵列
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127195.htm2011/9/5 14:58:35
采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型gan.通过原子力显微镜观察到n型gan均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型gan表
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02
人工晶体材料经过半个多世纪的发展取得了巨大的成就，已具有较高的技术水平和较大的生产能力，为之配套服务的晶体生长设备—单晶炉也随之得到了飞速的发展。
https://www.alighting.cn/resource/20110813/127319.htm2011/8/13 12:31:01
高亮度led制造如今是否应该更加重视工艺控制?如果答案是肯定的，那么我们该从传统的硅基集成电路制造中学到什么经验?
https://www.alighting.cn/2014/7/29 10:16:25
gan/alxga1-xn超晶格插入层技术是释放应力和减少alxga1-xn薄膜中缺陷的有效方法。研究了gan/alxga1-xn超晶格插入层对gan/蓝宝石上alxga1-x
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127210.htm2011/9/2 17:06:01
led芯片研磨制程的首要动作即“上腊”，这与硅芯片的cmp化学研磨的贴胶意义相同。将芯片固定在铁制(lapping制程)或陶瓷(grounding制程)圆盘上。先将固态蜡均匀的涂抹
https://www.alighting.cn/resource/20120918/126383.htm2012/9/18 17:17:39
衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。
https://www.alighting.cn/resource/20130801/125427.htm2013/8/1 15:47:37
对于制作led芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和led器件的要求进行选择。
https://www.alighting.cn/resource/20100902/127972.htm2010/9/2 14:10:59
