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关电源为控制的第一级，压控制恒流源为第二级，可同时保证控制精度和效率。实验结果表明该电路效率高、功率大，同时电路还能自适应调光，更加节能可
https://www.alighting.cn/resource/20131028/125185.htm2013/10/28 14:16:48
本文讨论了使用隔离电源组装的t8led灯管在耐压测试过程中灯珠损坏的主要原因：1.铝基板正负极压差大，超出led耐压值;2.铝基板负极出现薄弱环节击穿变成零电位，正极分到高压引
https://www.alighting.cn/2013/10/10 10:26:47
本文所设计电路以芯片uc3842为核心，恒流控制采用脉宽控制(pwm)方式，实现150ma—350ma可调恒流输出，为5—10个led供电。电路还设有输出过压恒压保护电路及光控电
https://www.alighting.cn/2013/9/13 14:36:09
trp-3003直流稳压电源具有恒压、恒流和完善的过载保护能力，由于厂方不提供图纸，笔者在维修中测绘出整电路，并列出常见故障及维修调整方法。
https://www.alighting.cn/2013/9/3 11:30:38
利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体,研究了直接粘贴芯片的封装方式中,芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化,发现粘贴在基板靠近
https://www.alighting.cn/resource/20130826/125380.htm2013/8/26 14:04:58
研究发现，在合适应力下，外量子效率可提高两倍以上，达到5.92%。iv曲线在正负偏压下的非对称变化表明器件性能的提高主要由具有极性的压电效应引起，而不是由非极性的压阻和接触效应引
https://www.alighting.cn/2013/8/13 10:38:53
采用脉冲激光沉积(pld)技术,在si(100)衬底上制备出高度c轴取向的zno薄膜。通过x射线衍射(xrd)谱,扫描电镜(sem)和室温光致发光(pl)光谱的测量,研究了生长气氛
https://www.alighting.cn/2013/5/7 11:24:11
利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的gan蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构gan蓝光led.与外延材料未转
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
led芯片使用常遇到的问题分析：别的封装进程中也能够形成正向压下降，首要缘由有银胶固化不充分，支架或芯片电极沾污等形成触摸电阻大或触摸电阻不稳定。
https://www.alighting.cn/resource/20130416/125720.htm2013/4/16 11:07:01
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
