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采用高温固相法制备了nay(wo4)2:eu3+发光材料。分别用x射线粉末衍射(xrd)、发光光谱(pl)等手段研究了发光粉的晶体结构以及发光性能。
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125766.htm2013/4/3 10:59:23
d分析结果显示,sr3al2o6-3x/2nx与sr3al2o6的晶体结构相
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:54:56
一份出自北京大学，关于《激光剥离垂直结构和基于介覌光子学gan基led》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件。
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:21:00
esd耐受电压是反映led芯片性能的一项重要指标，可用于评估led在封装和应用过程中可能被静电损坏的几率，是目前led研究和研发的前沿问题之一。本文分析了晶体质量及芯片结构对le
https://www.alighting.cn/2013/3/29 9:56:19
本论文主要围绕提高g8n基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型gan基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将gan薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
当前结构的白光led 的发光过程是分两步进行的，电源接通后首先是led 芯片中的载流子复合发光，芯片发射的蓝光光子通过输出窗口的荧光粉涂层时，其中部分蓝光光子直接透射通过，其余部
https://www.alighting.cn/resource/2013/3/20/164753_30.htm2013/3/20 16:47:53
https://www.alighting.cn/resource/20130308/125928.htm2013/3/8 11:19:09
本论文目标就是以方法简便为原则，探索无污染、低成本的提高gan 材料晶体质量的方法。在具体的工作中，我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长gan 薄
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
简述了led的发展历史，讨论了国际上最新研究出的gan基led的结构和工作原理，以及为改善gan基led性能而采取的一些手段，同时也对这些方法的优缺点进行了分析，对led的老化机制
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14
