站内搜索
薄化的功效是为了减少氮化物半导体架构中的残余压应力(residual compressive stress)，这种应力在led架构中对降低的压电电场有撞击效应。氮化镓和蓝宝石之间不
https://www.alighting.cn/resource/20140321/124752.htm2014/3/21 11:55:15
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。
https://www.alighting.cn/resource/20140317/124774.htm2014/3/17 14:20:22
半导体照明光源的质量和led芯片的质量息息相关。进一步提高led的光效(尤其是大功率工作下的光效)、可靠性、寿命是led材料和芯片技术发展的目标。
https://www.alighting.cn/2014/3/12 18:03:00
内容概要：led外延芯片的发展现状；led核心技术的发展趋势；垂直薄膜型led芯片研发现状。
https://www.alighting.cn/2014/2/28 11:00:27
通过世界专利索引数据库(dwpi)对mocvd设备专利进行全面检索，然后进行人工标引，剔除不相关专利，经过引证、权利要求项、诉讼等指标的筛选，对aixtron的喷淋头结构技术和ve
https://www.alighting.cn/2014/1/8 10:30:41
出不穷。2013年我国半导体照明产业无论上游外延芯片、中游封装还是下游应用增速都明显高于2012年水平，出口大幅增加;同时2013年也竞争加剧的一年，产业整合持续深化，行业格局调整
https://www.alighting.cn/resource/2014/1/2/1561_55.htm2014/1/2 15:06:01
本文依次分析了led的上、中、下游的技术现状，做了详细解说，并分析了led在未来的发展趋势。
https://www.alighting.cn/2013/12/30 10:10:52
近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
