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、全角反射镜(odr)、外延片键合、激光剥离技术(llo)、倒装技术(flip chip)、光子晶体技术(phonic crystal)、ac led技术等，最后谈论了led芯片技
https://www.alighting.cn/resource/2012/11/22/135022_85.htm2012/11/22 13:50:22
色照明光源普遍推广应用的一个绊脚石。文章简述了提高外量子效率的几种有效途径,如表面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射层(dbr)结构、激
https://www.alighting.cn/resource/20121120/126288.htm2012/11/20 18:12:22
室内白光led 照明通信是将led 照明技术和光通信技术相结合产生的一种新技术， 这种通信的距离从数米到数十米，具有安全节能、通信容量大等显著特点，其作为一个全新的无线通信手段，
https://www.alighting.cn/resource/20120913/126404.htm2012/9/13 17:43:12
为改善gan 基发光二极管( light??emitting diode, led) 的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49
用氢氧化钾溶液进行光化学腐蚀来制造低应变、高效率的发光二极管(led)。台湾的研究者声称，针对目前广泛应用的激光剥离工艺，他们已经研发了一种替代方法，这种新型工艺在性能上十分优
https://www.alighting.cn/resource/20111114/126897.htm2011/11/14 12:49:35
阐述了大功率半导体激光器恒流源的设计方法.该恒流源采用功率mosfet作电流控制元件,运用负反馈原理稳定输出电流.应用结果表明该恒流源对激光器安全可靠,输出电流的短期稳定度达到
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126962.htm2011/10/25 15:12:30
激光刻划led刻划线条较传统的机械刻划窄得多，所以使得材料利用率显著提高，因此提高产出效率。另外激光加工是非接触式工艺，刻划带来晶圆微裂纹以及其他损伤更小，这就使得晶圆颗粒之
https://www.alighting.cn/2011/10/21 14:33:06
利用光谱椭偏仪,系统研究了用脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上,温度分别为400℃,500℃,600℃和700℃制备的zno薄膜的光学特性。利用三层cauchy散
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44
采用无催化脉冲激光沉积(pld)方法,在inp(100)衬底上生长纳米zno柱状结构。采用扫描电子显微镜(sem)、x射线衍射(xrd)以及光致发光(pl)谱等表征手段对zno纳
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长zno外延薄膜。引入高阻非晶sio2缓冲层，有效地降低了检测过程中单晶衬底对zno薄膜的电学性能影响。利用xrd，se
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
