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绿色发光粉caba_2(bo_3)_2∶tb~(3+)的制备和发光特性

→7f5、5d4→7f4、5d4→7f3能级跃迁。其中以496 nm和549 nm的发射最强,样品呈现很好的绿色发光。主要激发位于200~300 nm之间,属于4f75d1宽

  https://www.alighting.cn/resource/20110907/127187.htm2011/9/7 9:32:56

湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究

度的增加,图形的深度增加。腐蚀后图形阵列排布整齐,所有图形都方向一致,这与蓝宝石本身晶体性质有关。腐蚀液温度对外延后gan的影响也比较大,随着腐蚀液温度的增加,(002)半宽逐渐增

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00

图形蓝宝石基gan性能的研究

x射线摇摆曲线中,其(0002)面及(10-12)面的半全宽分别降低至202.68 arcsec,300.24 arcsec。透射光谱中,其透射率最高,调制深度最大;光致发光谱的

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25

非极性gan用r面蓝宝石衬底

:平均半宽值为19.4arcsec;位错密度为5.6×103cm-2,波长大于300nm时的平均透过率大于80%;光学均匀性δn=6.6×10-5;平均表面粗糙度为0.49nm.结

  https://www.alighting.cn/resource/20110901/127216.htm2011/9/1 14:07:02

al_2o_3/si(001)衬底上gan外延薄膜的制备

x射线衍射半高宽是 72arcmin ,薄膜的玛赛克 (mosaic)结构是x射线衍射展宽的主要原因 .室温下gan光致发光谱的带边位于 36 5nm

  https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24

100lm/w照明用led大功率芯片的产业化研究

围内,半宽接近20nm,led功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01ma下有良好的点亮效果,没有暗区,器件在350ma下发光效率达104 lm/w,并能够满足3w的应用市

  https://www.alighting.cn/resource/20110721/127407.htm2011/7/21 17:45:16

生长温度对ingan/gan多量子阱led光学特性的影响

性的影响。结果表明当生长温度从730℃升到800℃时,led的光致发光波长从490 nm移到380 nm,室温下pl谱发光的半高全宽从133 mev降到73 mev,表明了量子阱结晶

  https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08

led太阳模拟器的研究

设计了一种新型太阳模拟器。该太阳模拟器是采用不同波长的led复合成太阳光源来实现太阳光模拟的。使用软件对其进行了原理上的仿真并进行了验证性实验。实验表明该设计方案可行的。该led太

  https://www.alighting.cn/resource/20110321/127865.htm2011/3/21 15:54:24

市场前景光明led驱动ic再攀高

led,其发光原理,简单说就是将电能转换为光的过程,将电流通过化合物半导体,透过电子与空穴的结合,过剩的能量将以光的形式释出,达到发光的效果。通过led的顺向电流越大则亮度越高,同

  https://www.alighting.cn/resource/20100712/128045.htm2010/7/12 17:28:49

gan基多量子阱蓝色发光二极管实验与理论分析

采用量子点模型对蓝色ingan/gan多量子阱发光二极管电致发光光谱进行考察,并和实验测量结果进行了比对,结果发现,利用量子点模型计算出的自发辐射发光位与实验得出的电致发光的

  https://www.alighting.cn/resource/2009911/V936.htm2009/9/11 17:27:36

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