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本案例为2013阿拉丁神灯奖工程类参评项目——深圳田厦国际中心。田厦国际中心位于南山区桃园路与南光路交叉口西北侧，桃园路以北，南光路西侧，项目包含一栋196.8米超高层办公，一
https://www.alighting.cn/resource/2013/4/22/112956_92.htm2013/4/22 11:29:56
因可归结为芯片欧姆接触的退化及芯片材料中缺陷密度的提高。样品的热特性变化显示出各结构层热阻均明显增大,这是由散热通道上各层材料的老化及焊料层出现大面积空洞引起的。分析表明,高温老
https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17
微缺陷与器件可靠性的关系密切;减少外延晶片中的微缺陷密度有利于提高led器件的可靠性。通过建立从外延片晶体结构质量、芯片光电参数分布到器件可靠性的分析实验方法,为gan-led外
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
来自中国光协光电（led）器件分会的张万生对我国超高亮度led外延芯片国产化的进程进行了回顾与展望，不错的资料，现在分享给大家，欢迎大家下载附件查看详情。
https://www.alighting.cn/2013/3/19 11:23:09
膜，对薄膜的晶体质量、位错密度，以及对材料电学光学性质进行了表征。 在此基础上，我们还在蓝宝石图形衬底上制备了发光二极管(led)器件结构，并研究了发光效率的提升机
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极
https://www.alighting.cn/resource/20130304/125965.htm2013/3/4 15:03:29
pss最近受到热捧，pps的衬底可以有效减少gan外延材料的位元错密度，从而减小有源区的非辐射复合，提升内量子效率，减小反向漏电流，提高led的寿命;另一方面有源区发出的光，
https://www.alighting.cn/resource/20130117/126148.htm2013/1/17 20:11:08
本文研究了两组不同晶体质量的gan外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明gan外延生长过程中位错密度是逐渐降
https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08
通常led与荧光体组合时，典型方法是将荧光体设于led附近，主要原因是希望荧光体能高效率的将led产生的光线作波长转换，而将荧光体设于光线放射密度较高的区域，对波长转换而言是最简
https://www.alighting.cn/resource/20130115/126164.htm2013/1/15 10:16:04
led 灯管市场正转向非隔离式驱动器，这将提高系统效率并降低驱动器电路板和元件的温度。
https://www.alighting.cn/resource/20130111/126179.htm2013/1/11 13:48:03
