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基led外延片(其主要结构包括：n-gan、量子阱和p-gan)。通过这种方式可以实现一次性生长具有不同结构的量子阱
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
内。导致生长的量子阱质量下降，同时会导致漏电严重，出光率降
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14
在led的pn结上施加正向电压时，pn结会有电流流过。电子和空穴在pn结过渡层中复合会产生光子，然而并不是每一对电子和空穴都会产生光子，由于led的pn结作为杂质半导体，存在着材料
https://www.alighting.cn/2011/11/18 16:34:31
些芯片安装到器件中，使得内量子效率接近40
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(eqe)比老化前低;老化前后eqe衰减幅度在不同的注入电流下存在明显差异,衰减幅度最小处出现在发光效率最高时对应的电流密度区
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
本文详细的介绍了led芯片发光过程中光的萃取以及效率的产生等基本原理，是不错的led外延芯片基础知识，共享于此，希望可以帮助大家学习!
https://www.alighting.cn/resource/20111019/127001.htm2011/10/19 13:47:34
以被用来进行各种应用。将就其光电器件、非合金化欧姆接触以及量子点应用进行一些回顾,并说明该材料的一些特殊性
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09
利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
通过低压金属有机化学气相外延 (lp movpe)工艺生长了algainas应变补偿量子阱材料,通过x射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降
https://www.alighting.cn/2011/10/8 12:00:18
利用方势阱模型对inxga1-xn/ganmqws结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在mo源流量恒定条件下,在570℃~640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
