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利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(mocvd)在蓝宝石衬底上生长gan时,gan低温缓冲层的生长压力对高温生长gan外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫
https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58
本文章汇总了2013新世纪led高峰论坛企业演讲ppt资料，现在分享给大家。
https://www.alighting.cn/2013/6/19 11:55:51
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由华灿光电股份有限公司的王江波/研发经理主讲的关于介绍《大电流应用下的led外延与芯片关键技术研究》的讲义资料，现在分享给大家，欢迎下
https://www.alighting.cn/2013/6/17 11:30:17
led行业是一个高技术壁垒的行业，这里指的是上游芯片和外延片，该环节目前占到了整个产业链产值的70%。做led芯片。外延片要比单纯做封装、做下游应用产品难得多，这当中涉及技术，工
https://www.alighting.cn/2013/6/13 15:50:44
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电
https://www.alighting.cn/resource/20130613/125521.htm2013/6/13 15:08:42
在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡尔
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光led以来，基于gan基蓝光led和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止，商品化白光le
https://www.alighting.cn/resource/2013/5/29/16025_26.htm2013/5/29 16:00:25
利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属ga薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个ga薄层的引入完全抑制了导致zn
https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49
