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用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用xrd、xps技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差
https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06
制备了人工opal晶体模板,运用mocvd方法在sio2人工opal球体间填充了高折射率的inp晶体,选择了mocvd生长inp的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显
https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41
究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求的高质量gaas单晶层生长条
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
应用有限元电磁场分析方法对发光二极管(led)芯片的光学传播进行模拟.对光子晶体结构的外量子效率进行了计算.特别的是,对光源的处理上,使用了点光源球面波来进行分析并且考虑了光
https://www.alighting.cn/2013/5/7 10:55:36
通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvd)的方法,在带有gan缓冲层的蓝宝石(al2o
https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17
采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备ga、p掺杂的zno薄膜,分别采用x射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过ga、p掺杂分别得到n、p
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29
对材料特性进行了表征,获得了表面光亮的晶体质量较好的ⅱ型inas/gasb超晶格材料,在77k下得到光致发光谱峰值波长为3.25μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影
https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59
本文研究了icp刻蚀蓝宝石中工艺参数对蓝宝石刻蚀速率的影响规律,所用气体为cl2/bcl3,研究结果表明,蓝宝石的刻蚀速率随着icp功率、rf功率和气体总流量的增大单调增大;随
https://www.alighting.cn/resource/20130416/125723.htm2013/4/16 10:49:04
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作gan基发光二极
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
析,可知在蓝宝石衬底和环氧树脂的界面间涂敷一层硅橡胶能改善光的折射率。改进光学器件的封装技术,可以大幅度提高大功率led的出光率(光通
https://www.alighting.cn/2013/4/10 13:07:29
