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日前，在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报告，与同
https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由苏州热驰光电科技有限公司的林昕/总经理主讲的关于介绍《类金刚石在led导热线路板中的应用》的讲义资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看
https://www.alighting.cn/resource/20130618/125506.htm2013/6/18 16:17:55
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
该文采用聚乙烯基咔唑(pvk)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(alq3)作为发光层,制备了结构为ito/pvk(0～60nm)/alq3(60nm)/mg:ag/al的有机发光二
https://www.alighting.cn/2013/6/5 14:40:41
在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展，本文主要介绍了提高gan 基led 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光led以来，基于gan基蓝光led和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止，商品化白
https://www.alighting.cn/resource/2013/5/29/16025_26.htm2013/5/29 16:00:25
使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性
https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11
该文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/2013/5/21 10:26:12
zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必须
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
