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利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c sic进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c sic外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
实验采用碳酸锂、氧化钨、氧化铕制备了lieuw2o8发光粉,通过扫描电镜和光谱仪分别研究了它的形貌与光谱特征。结果显示:lieuw2o8发光粉的激发光谱较宽,非常适合于近紫外、蓝
https://www.alighting.cn/resource/20110923/127092.htm2011/9/23 9:38:16
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lp-mocvd设备,在(100)面gasb单晶衬底上外延生长了inassb材料.用x射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
数,2.利用高分辨x射线衍射对gan基led外延片的超晶格结构进行了测量, 3.利用高分辨透射电子显微镜对gan基led外延片进行了分析 4.利用f7000荧光光谱仪对样品进行了光
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52
采用x射线多功能四圆衍射仪测绘出gan/gaas(0 0 1 )外延层中六角相的{0 0 0 2 }和 {1 0 1 0 }极图 ,结果表明外延层中六角相与立方相之间的取向关系
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127171.htm2011/9/9 9:03:08
在室温条件下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延的zno薄膜。采用原子力显微镜(afm)、x射线衍射仪(xrd)、可见-紫外分光光度计系统研究了zno薄膜微观结
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127198.htm2011/9/5 14:35:18
结合aln成核缓冲层技术和nh3流量调制缓冲层方法,采用mocvd在(0001)面蓝宝石衬底上生长了aln基板,用扫描电镜、原子力显微镜及x射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127209.htm2011/9/2 17:16:23
利用真空烧结技术制备了一种可用于白光led封装的ce:yag陶瓷荧光体。用x射线衍射仪、光致发光激发谱、光致发光谱等测试手段对这种陶瓷荧光体进行表征。结果表明:陶瓷荧光体的主相为
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127240.htm2011/8/29 16:12:31
对于高速运动的物体，我们无法清楚地观察其中间的运动过程(如在物理实验中的自由落体、平抛和小车的快速水平运动等等) 。为了解物体运动的整个过程，通常需要高频率的频闪闪光灯作光源。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127374.htm2011/7/29 9:42:20
通过反射高能电子衍射仪(rheed)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ecr-pemocvd 装置中清洗氮化实验表面晶质的rheed图像,研究了常规清洗和ecr等离子体所产生的活
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127392.htm2011/7/26 18:57:31
