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aixtron planetary降低了SiCed成本

x100 mm(4英寸)及未来的6x150 mm(6英寸)SiC

  https://www.alighting.cn/news/20071116/116980.htm2007/11/16 0:00:00

gt推出碳化硅炉新产品线

gt advanced technologies于7月8日推出其新型SiClone(tm) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术,能生产出高品

  https://www.alighting.cn/news/20130709/112135.htm2013/7/9 12:02:46

配套措施无力匹配led产能扩张

中投顾问提示:全球晶圆(globalfoundries)位于美国纽约州的新晶圆厂fab 2兴建工作,遭基础设施建设拖累,后续进度极有可能被延期 。

  https://www.alighting.cn/news/20101115/93608.htm2010/11/15 10:47:52

第一家大陆和台湾省合资led晶圆厂成立

山西省长治市政府看好华上光电技术,决定出资与华上在长治市成立一家led厂,以共同开发大陆的led照明市场。

  https://www.alighting.cn/news/20091210/V22111.htm2009/12/10 10:25:15

普瑞光电硅晶圆计划 成本有望下降75%

近日,普瑞光电(bridgelux) 首席执行官bill watkins 对外表示,为了和计算机半导体产业配合以节省成本,led 公司必须开始以同样的设备来制作led。

  https://www.alighting.cn/news/20110310/115959.htm2011/3/10 11:37:58

山东大学大直径SiC单晶研究取得突破进展

山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展,成功生长出直径3英寸的SiC单晶;2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)”的水平。

  https://www.alighting.cn/news/2007516/V5083.htm2007/5/16 16:06:33

新增6寸产线 欧司朗光电扩大led制造产能

据了解,每片6寸晶圆的表面面积约是3寸晶圆的四倍,2寸晶圆的九倍,4寸晶圆的两倍以上。若能确保新产能的良率与品质达到现今制造水准之上,将可大幅改善整体产能与成本结构,对提升市场竞

  https://www.alighting.cn/news/20110316/115466.htm2011/3/16 9:57:29

科锐宣布扩产计划进展,将在美国纽约州建造全球最大SiC制造工厂

9月23日,美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – 作为碳化硅(SiC)技术全球领先企业的科锐宣布计划在美国东海岸创建碳化硅(SiC)走廊,建造全球最大的碳化硅(SiC)制造工厂。

  https://www.alighting.cn/news/20190924/164226.htm2019/9/24 13:33:07

led芯片的制造工艺简介

led芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(wafer fabrication)、晶圆针测工序(wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initia

  https://www.alighting.cn/news/2009111/V21472.htm2009/11/1 13:01:53

led芯片现状:衬底材料和晶圆生长技术是关键

目前国内外有很多led芯片厂家,然芯片分类没有统一的标准,国内外芯片技术对比方面,国外芯片技术新,国内芯片重产量不重技术。

  https://www.alighting.cn/news/20140506/87007.htm2014/5/6 13:56:05

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