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国星光电参与两项碳化硅团体标准起草及讨论会

近日,国星光电受第三代半导体联盟标委会(casas)邀请参与了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(sic mosfet)热电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体

  https://www.alighting.cn/news/20210622/171619.htm2021/6/22 13:53:56

圣融达-金属化聚丙烯膜轴向电容器——2021神灯奖申报技术

圣融达-金属化聚丙烯膜轴向电容器,为四川圣融达容科技有限公司2021神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20201231/170276.htm2020/12/31 10:19:06

圣融达-双85专用电容器(x2类)——2021神灯奖申报技术

圣融达-双85专用电容器(x2类),为四川圣融达容科技有限公司2021神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20201231/170275.htm2020/12/31 10:18:54

mpb金属化聚丙烯膜盒装电容器——2021神灯奖申报技术

mpb金属化聚丙烯膜盒装电容器,为四川圣融达容科技有限公司2021神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20201231/170274.htm2020/12/31 10:18:42

x2金属化聚丙烯膜抗干扰电容器——2021神灯奖申报技术

x2金属化聚丙烯膜抗干扰电容器,为四川圣融达容科技有限公司2021神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20201231/170273.htm2020/12/31 10:17:34

x1金属化聚丙烯膜抗干扰电容器——2021神灯奖申报技术

x1金属化聚丙烯膜抗干扰电容器,为四川圣融达容科技有限公司2021神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20201231/170272.htm2020/12/31 10:17:24

圣融达-mpp金属化聚丙烯膜电容器——2021神灯奖申报技术

圣融达-mpp金属化聚丙烯膜电容器,为四川圣融达容科技有限公司2021神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20201231/170271.htm2020/12/31 10:17:10

led芯片是如何制造的?

led芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极,并能满足可接触材料之间较为小的压降及提供焊线的压垫,同时尽可能的多地出光。渡膜工艺一般用真空蒸镀方法,4pa高真空下,用电

  https://www.alighting.cn/news/20200420/168285.htm2020/4/20 11:05:53

cbb 容降压电容器 ——2019神灯奖申报技术

cbb 容降压电容器,为东莞市捷容薄膜科技有限公司2019神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20181226/159618.htm2018/12/26 10:28:00

白皮书 | pc在led领域的创新应用 (上)

目前的蓝技术虽然能隔蓝光,但也削减了大量其它可见光。相比普通光扩散pc板,各项指标都明显下降,光效降低,透光率减小,颜色发黄。

  https://www.alighting.cn/news/20181218/159487.htm2018/12/18 9:31:33

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