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科锐开发出直径150mm的n型4h-sic外延晶圆

美国科锐公司(cree)开发出了直径为150mm(6英寸)、晶型结构为4h的n型sic外延晶圆,此次开发的晶圆厚100μm,可使用现有的150mm晶圆的设备来制造。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120905/122279.htm2012/9/5 11:54:18

将sic外延晶圆产能提高到2.5倍

昭和电工宣布,将功率半导体器件用4英寸sic外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。

  https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55

多家led巨头纷纷瞄准6英寸sic晶圆市场

近日,关于sic功率半导体的国际学会“icscrm 2013”于日本宫崎县举行。多家sic基板厂商展示了直径为6英寸(150mm)的晶圆。这种晶圆是现行3~4英寸(75mm~10

  https://www.alighting.cn/news/20131009/111759.htm2013/10/9 16:50:25

led晶圆激光刻划技术

激光刻划led刻划线条较传统的机械刻划窄得多,所以使得材料利用率显著提高,因此提高产出效率。另外激光加工是非接触式工艺,刻划带来晶圆微裂纹以及其他损伤更小,这就使得晶圆颗粒之

  https://www.alighting.cn/2011/10/21 14:33:06

效法摩尔定律:led晶圆制造开启大尺寸竞赛

继6寸晶圆产线陆续启动后,发光二极体(led)制造商已投入8、12寸晶圆的研发,如普瑞光电(bridgelux)即成功以8寸矽晶圆制造的矽基氮化镓(gan-on-silico

  https://www.alighting.cn/resource/20110517/127599.htm2011/5/17 17:53:02

原料蓝宝石晶圆价格涨3倍 带动led芯片价格大涨

led用蓝宝石硅晶锭(sapphireingot)自2009年出现缺货潮后,蓝宝石硅晶圆(sapphirewafer)价格应声而涨,目前蓝宝石晶圆价格较2009年同期增加3倍,

  https://www.alighting.cn/news/20100820/118022.htm2010/8/20 13:18:27

cree放缓向较大晶圆制造转移的步伐

cree已经开始了从100 mm (4英寸)到150 mm (6英寸)晶圆制造的转移,此举将有助于大力提升产量及生产力,并降低芯片价格。但cree首席执行官chuc

  https://www.alighting.cn/news/201227/n396137338.htm2012/2/7 9:51:36

led晶圆激光刻划技术

激光加工是非接触式加工,作为传统机械锯片切割的替代工艺,激光划片切口非常小,聚焦后的激光微细光斑作用的晶圆表面迅速气化材料,在led有源区之间制造非常细小的切口,从而能够在有限面

  https://www.alighting.cn/resource/20110819/127293.htm2011/8/19 14:31:30

全球十二寸晶圆产出明年成长率29%

国际半导体设备材料产业协会(semi)总裁暨执行长梅耶(stanleyt.myers)十一日表示,全球十二寸晶圆产出今年将

  https://www.alighting.cn/news/2007913/V2647.htm2007/9/13 10:10:03

led 外延芯片和外延工艺

led 工作原理可知,外延材料是led 的核心部分,事实上,led 的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。

  https://www.alighting.cn/2013/3/22 13:51:32

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