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最近，中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学纳米化学研究中心、北京石墨烯研究院刘忠范团队合作，开发出了石墨烯／蓝宝石新型外延衬底，并提出了等离子体预处理改性石墨烯，促进al
https://www.alighting.cn/pingce/20190425/161705.htm2019/4/25 9:54:59
晶圆级led芯片及白光光源，为宁波天炬光电科技有限公司、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所2019神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20190331/161255.htm2019/3/31 11:48:58
据悉，全球led外延、芯片、封装、led照明解决方案科锐（cree）日前宣布推出了新款xlamp etone led。
https://www.alighting.cn/pingce/20180928/158548.htm2018/9/28 10:04:06
来自电子、微电子及纳米技术研究院 （iemn）的最新结果显示，allos即将推出的适用于1200v器件的硅基氮化镓外延片产品具有超过1400v的纵向和横向击穿电压。
https://www.alighting.cn/pingce/20180209/155200.htm2018/2/9 16:18:29
基于algan的uv led由于存在较低的内部量子效率、低撷取效率、低掺杂效率、极化电场大以及差排密度外延高等缺点，限制了uv led的高功率应用...
https://www.alighting.cn/pingce/20170217/148247.htm2017/2/17 10:22:52
外延片处于led产业链中的上游环节，包括原材料、衬底材料及设备这三大领域。在led外延片生长、芯片、芯片封装这三个环节中，外延片生长投资要占到70％，外延片成本要占到封装成品的7
https://www.alighting.cn/pingce/20170213/148062.htm2017/2/13 9:58:12
迪思科(disco)开发出了利用激光从sic铸锭上切割sic晶圆的新工艺“kabra”。与使用线锯的传统方法相比，生产sic晶圆的加工时间大约可以缩短到1/4，产量大约可以增加到
https://www.alighting.cn/pingce/20160816/142890.htm2016/8/16 10:09:39
日前，led光电巨头欧司朗宣布，公司通过优化外延工艺，可以大大减少led芯片的droop效应，使led的量子效率在电流密度为每平方毫米3安(3a/mm2)的条件下相比以往提高7.
https://www.alighting.cn/pingce/20160418/139482.htm2016/4/18 9:16:00
韩国led芯片大厂首尔半导体15日宣布，领先竞争对手，成功研发并将量产晶圆级wicop led (wafer level integrated chip on pcb)。
https://www.alighting.cn/pingce/20150916/132732.htm2015/9/16 17:05:47
晶能光电近期推出了380-410nm高光效uva led产品。采用独特的uv-led外延技术，克服发光效率低于蓝光led和电子空穴不易被束缚在发光层中的难点，性能达到国际一流水平。
https://www.alighting.cn/pingce/20150428/84946.htm2015/4/28 11:37:06
