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中装入更多个衬底外延片生长，更加适合于规模化生产的技术，以降低成本;另外一个方向是高度自动化的可重复性的单片设
https://www.alighting.cn/resource/20100727/128331.htm2010/7/27 13:17:38
https://www.alighting.cn/news/2010531/V23876.htm2010/5/31 9:04:18
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00
一份出自晶能光电公司的关于介绍《led照明灯mocvd外延生长技术》的讲义资料，分享了衬底材料的选择，以及外延技术的发展趋势等内容，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/7/26 10:57:01
外延片生长是指：在基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。
https://www.alighting.cn/resource/20101231/128112.htm2010/12/31 10:57:06
延片技术与设备是外延片制造技术的关键所在，金属有机物化学气相淀积(metal-organicchemicalvapordeposition，简称 mocvd)技术生长iii-v
https://www.alighting.cn/news/2009118/V21609.htm2009/11/8 15:37:27
早期在小积体电路时代，每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动輒投资数百亿，但却是所
https://www.alighting.cn/resource/20091013/128998.htm2009/10/13 0:00:00
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
换很快,可以得到陡峭的界面。外延发生在加热的衬底的表面上,通过监控衬底的温度可以控制反应过程。在一定条件下,外延层的生长速度与金属有机源的供应量成正比。mocvd及相关设备技术发展现
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
一种用movcd生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用mocvd技术
https://www.alighting.cn/news/2009111/V21470.htm2009/11/1 12:55:15
