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led外延片成长工艺的解决方案

早期在小积体电路时代,每一个6寸的外延片上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8寸的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动辄投资数百亿,但却是所

  https://www.alighting.cn/resource/20170117/147667.htm2017/1/17 14:00:39

线性斜率提高esd保护效率

随着高品质电子产品中的元件不断缩小,电路变得越来越灵敏,加上由于在製造时採用深次微米硅晶製程,而使其越来越难以保护。瞬态过压事件会导致软故障、潜在错误或甚至引发灾害。

  https://www.alighting.cn/resource/20140924/124272.htm2014/9/24 9:34:59

led外延片的生长工艺概述

早期在小积体电路时代,每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动輒投资数百亿,但却是所

  https://www.alighting.cn/resource/20101207/128146.htm2010/12/7 13:53:39

光学显微镜和电子显微镜的原理

电子显微镜的光源是电子束,能够看到小于0.2微米的亚显微结构,光学显微镜的光源是可见光,最大放大倍数是1500倍,不能看到亚显微结构,同样,他们的工作原理也是不一样的,本文介绍简

  https://www.alighting.cn/resource/20101119/128216.htm2010/11/19 13:43:20

led外延片的生长工艺介绍

早期在小积体电路时代,每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动輒投资数百亿,但却是所

  https://www.alighting.cn/resource/20091013/128998.htm2009/10/13 0:00:00