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铟片mtip 1561 ,为浙江沐泽电子科技有限公司2020神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20200109/166112.htm2020/1/9 17:33:14
4英寸氮化镓自支撑衬底,为东莞市中镓半导体科技有限公司2019神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20190326/161048.htm2019/3/26 11:23:28
纽约州立大学布法罗分校(university at buffalo) 宣布研制出击穿电压超过1800v的β-ga2o3 mosfet [ke zeng et al, ieee el
https://www.alighting.cn/pingce/20180906/158309.htm2018/9/6 11:00:16
来自电子、微电子及纳米技术研究院 (iemn)的最新结果显示,allos即将推出的适用于1200v器件的硅基氮化镓外延片产品具有超过1400v的纵向和横向击穿电压。
https://www.alighting.cn/pingce/20180209/155200.htm2018/2/9 16:18:29
密西根研究团队11月发表最新研究,发现将化学元素硼(boron)加入氮化铟镓 (ingan) 材料可以让led半导体的中间层(middle layer)厚度变大,解决发光效率随
https://www.alighting.cn/pingce/20171128/153901.htm2017/11/28 9:48:13
体技术如磷化铟,汪培值乐观看待光通讯发
https://www.alighting.cn/pingce/20171013/153099.htm2017/10/13 9:36:11
基于氮化铟镓技术和现有的制造设施,应变工程可以为微显示器提供一种可行的方法。
https://www.alighting.cn/pingce/20170919/152804.htm2017/9/19 9:53:06
h的知识产权(ip)许可,其中,前者涉及作为hexatech公司2英寸(直径)基板开发项目的直接支持的氮化铝(aln)基
https://www.alighting.cn/pingce/20170220/148268.htm2017/2/20 9:34:49
南加州ostendo tech inc.所属磊晶实验室(ostendo epi lab.) 研发出世界第一个全彩led。他们使用氮化镓材料研发出三种特殊的量子结构,可以发出三种不
https://www.alighting.cn/pingce/20161227/147168.htm2016/12/27 11:57:42
led照明组件制造商plessey宣布推出其新的7070大功率led系列。plw7070产品充分利用了其专有的硅基氮化镓magic技术,并提供业界一流的标准大功率led封装尺
https://www.alighting.cn/pingce/20161024/145429.htm2016/10/24 10:48:20