检索首页
阿拉丁已为您找到约 48条相关结果 (用时 0.0135254 秒)

片mtip 1561 ——2020神灯奖申报技术

片mtip 1561 ,为浙江沐泽电子科技有限公司2020神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20200109/166112.htm2020/1/9 17:33:14

4英寸氮化自支撑衬底——2019神灯奖申报技术

4英寸氮化自支撑衬底,为东莞市中半导体科技有限公司2019神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20190326/161048.htm2019/3/26 11:23:28

最新研发的氧化mosfet耐压超过1800v

纽约州立大学布法罗分校(university at buffalo) 宣布研制出击穿电压超过1800v的β-ga2o3 mosfet [ke zeng et al, ieee el

  https://www.alighting.cn/pingce/20180906/158309.htm2018/9/6 11:00:16

allos推新型硅基氮化外延片产品,具有超过1400v的击穿电压

来自电子、微电子及纳米技术研究院 (iemn)的最新结果显示,allos即将推出的适用于1200v器件的硅基氮化外延片产品具有超过1400v的纵向和横向击穿电压。

  https://www.alighting.cn/pingce/20180209/155200.htm2018/2/9 16:18:29

研究发现加入硼可解决led发光效率下降现象

密西根研究团队11月发表最新研究,发现将化学元素硼(boron)加入氮化 (ingan) 材料可以让led半导体的中间层(middle layer)厚度变大,解决发光效率随

  https://www.alighting.cn/pingce/20171128/153901.htm2017/11/28 9:48:13

华上握四元led技术 放眼光通讯

体技术如磷化,汪培值乐观看待光通讯发

  https://www.alighting.cn/pingce/20171013/153099.htm2017/10/13 9:36:11

美研发出单片集成三色led,未来将包含更多颜色组合

基于氮化技术和现有的制造设施,应变工程可以为微显示器提供一种可行的方法。

  https://www.alighting.cn/pingce/20170919/152804.htm2017/9/19 9:53:06

助力uv-c led器件开发,欧司朗与hexatech签战略协议

h的知识产权(ip)许可,其中,前者涉及作为hexatech公司2英寸(直径)基板开发项目的直接支持的氮化铝(aln)基

  https://www.alighting.cn/pingce/20170220/148268.htm2017/2/20 9:34:49

台学者研发出世界首个全彩led,有望超越oled?

南加州ostendo tech inc.所属磊晶实验室(ostendo epi lab.) 研发出世界第一个全彩led。他们使用氮化材料研发出三种特殊的量子结构,可以发出三种不

  https://www.alighting.cn/pingce/20161227/147168.htm2016/12/27 11:57:42

plessey发布单芯片大功率7070 led

led照明组件制造商plessey宣布推出其新的7070大功率led系列。plw7070产品充分利用了其专有的硅基氮化magic技术,并提供业界一流的标准大功率led封装尺

  https://www.alighting.cn/pingce/20161024/145429.htm2016/10/24 10:48:20

1 2 3 4 5 下一页