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制造商在设计制造过程中，如何消除led灯管替代传统双端荧光灯的安全风险，达到认证标准要求，顺利通过出口认证，避免产品由于存在安全隐患被召回和禁售的风险?本文主要就此探讨一下目前欧
https://www.alighting.cn/2015/1/22 10:55:20
宽禁带的zns缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用，促进器件载流子平衡，提高了器件发光效率，改善了器件性能。
https://www.alighting.cn/2015/1/20 10:50:57
采用自主开发的yh型yag荧光粉产品与市售进口及国产同类产品的光色指标及粒径等进行了全面对比分析。在此基础上，通过封装测试，对荧光粉的初始光效、老化性能及量产打靶集中度等封装应
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/9/151035_01.htm2013/12/9 15:10:35
分享一份来自国金证券研究所的《led行业2013下半年上游报告》，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20131104/125156.htm2013/11/4 15:30:50
https://www.alighting.cn/resource/20131101/125164.htm2013/11/1 10:12:28
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅gan外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的gan基外延片的载流子浓度纵
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
对于高效率地将配电总线电压转换成隔离式低电压，预制的隔离式dc/dc 转换器和模块提供了一种简单但相对昂贵的解决方案。不过，现成有售的设计可能无法提供全部所需功能，因此在很多应用
https://www.alighting.cn/resource/20130806/125418.htm2013/8/6 10:36:27
zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
示,inp晶体在二氧化硅间隙中的生长是均匀的,具有较好的结晶质量;高介电常数的inp的填充使人工欧泊光子晶体的光子禁带效应增强,反射峰移向长波长区.光学特性检测结果与理论计算值得到较
https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41
作为第三代宽禁带半导体材料,sic和zno由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。sic具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方
https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15
