站内搜索
使用扫描电子显微镜、高分辨率x射线衍射、raman散射、原子力显微镜、透射电镜等测试手段,对高铝组分的AlGaN样品表面形貌的形成原因进行研究。结果表明,aln缓冲层的晶体质量,
https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:11:48
研究人员以渐变折射率分布限制结构层(grinsch)装置，制作出奈米级grinsch二极体，研究人员期望未来能应用在奈米高效能uv led装置，像是激光、光感测器、调幅器以及积体光
https://www.alighting.cn/news/20180727/157806.htm2018/7/27 8:58:52
利用透射光谱矩阵光学原理,对三种gan或AlGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06
本文提出利用hrxrd 倒易空间的测试分析方法来获得外延材料中的晶格应变及其缺陷状态，这对AlGaN 材料的mocvd 外延生长具有重要的指导意义。
https://www.alighting.cn/2014/12/3 11:50:29
赤崎和天野研究室于1992年在未使用ingan单晶的情况下，制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色led。是在p型AlGaN和n型AlGaN之间夹住掺杂了zn和si的gan层双异质结
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13
深紫外光是指波长100纳米到280纳米之间的光波，半导体深紫外光源在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大应用价值。以AlGaN材料为有源
https://www.alighting.cn/news/20140307/87319.htm2014/3/7 17:00:16
采用数值算法自洽求解poisson和schr?dinger方程,计算了AlGaN势垒层的应变弛豫度对高al含量AlGaN/gan高电子迁移率晶体管(hemt)中的导带结构、电子浓
https://www.alighting.cn/resource/20110816/127305.htm2011/8/16 14:21:55
据外媒报道，武汉大学研究者开发出了在蓝宝石衬底上生长高质量ain（氮化铝）薄膜的方法。
https://www.alighting.cn/news/20200424/168528.htm2020/4/24 9:35:47
据compound semiconductor报道，国际研究团队指出，具有二氧化硅阵列的图案化蓝宝石（patterned sapphire with silica array，ps
https://www.alighting.cn/news/20200115/166190.htm2020/1/15 9:42:43
2007年9月6日，由日本理化学研究所(riken)与崎玉大学（saitama university）合作组成的研究团队开发出波长227.5 nm、输出0.15mw的紫外led（u
https://www.alighting.cn/resource/20070908/128524.htm2007/9/8 0:00:00
