站内搜索
阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42％的GaN类led，并在“alps show 2008”（2008年9月25～26日）上展出。发光波长为510.7n
https://www.alighting.cn/news/20081006/119664.htm2008/10/6 0:00:00
https://www.alighting.cn/resource/20081004/128618.htm2008/10/4 0:00:00
制及其它电子器件结构生长的一个关健问题。近年来, 随着工艺的发展, GaN晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在si衬底上制造出led。介绍了GaN薄膜开裂问题及近期硅衬
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
本论文主要围绕提高g8n基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型GaN基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将GaN薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
韩国首尔半导体(seoul semiconductor)开发出了在1mm见方蓝色led芯片上组合荧光材料，实现了光通量为500lm左右的白色。该开发品的特点是比以前的产品更容易提高
https://www.alighting.cn/pingce/20130123/121934.htm2013/1/23 11:10:35
简述了led的发展历史，讨论了国际上最新研究出的GaN基led的结构和工作原理，以及为改善GaN基led性能而采取的一些手段，同时也对这些方法的优缺点进行了分析，对led的老化机
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对GaN光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的GaN薄膜晶体质量及光学质量最优,
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
2011年6月11日，“亚洲led照明高峰论坛 -- 外延芯片技术与工艺和外延设备和材料”专题分会在广州琶洲展馆b区8号会议厅南厅举行。来自山东大学晶体材料研究所特聘专家王成新博
https://www.alighting.cn/news/20110612/109070.htm2011/6/12 17:31:55
GaN是极稳定、坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。
https://www.alighting.cn/resource/20110331/127800.htm2011/3/31 14:58:54
led 行业要求其晶片在晶向、纯度、弯曲度、翘曲度、总厚度偏差、粗糙度、洁净度诸项指标上均达到严格的质量标准。某些线性晶体缺陷，例如小角度晶界或材料微观尺度取向的改变，能够
https://www.alighting.cn/2012/2/27 10:20:04
