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日本碍子开发出可使led发光效率提高1倍的GaN晶圆

日本碍子2012年4月25日发布消息称,开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法,在整个晶圆表面实现

  https://www.alighting.cn/pingce/20120508/122438.htm2012/5/8 11:17:20

日本开发出使led发光效率提高1倍的GaN晶圆

日本碍子称,开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法,在整个晶圆表面实现低缺陷密度的同时获得了无色透

  https://www.alighting.cn/news/201259/n962139582.htm2012/5/9 9:04:39

philips lumileds率先量产150毫米晶圆

philips lumileds现已成为首家量产150毫米晶圆的功率型led制造商并正在大型衬底上每周生产数百万颗基于氮化镓(GaN)材料的leds. lumileds拥有全球最

  https://www.alighting.cn/news/20101221/n924929728.htm2010/12/21 9:57:44

cree放缓向较大晶圆制造转移的步伐

cree已经开始了从100 mm (4英寸)到150 mm (6英寸)晶圆制造的转移,此举将有助于大力提升产量及生产力,并降低芯片价格。但cree首席执行官chuc

  https://www.alighting.cn/news/201227/n396137338.htm2012/2/7 9:51:36

硅基GaN能否战胜蓝宝石

在si基板上形成的led应该比蓝宝石基板led便宜得多。硅晶圆的价格一直低于蓝宝石晶圆,今后这一情况也仍将继续,因此使用硅基GaN基板的削减成本的效果可立即表现出来。削减成本最有

  https://www.alighting.cn/2012/9/10 14:24:25

led行业未来3年硅基 GaN专利战将全面打响

硅基GaN衬底面临一些技术挑战。GaN和硅之间的巨大晶格失配导致了外延层的缺陷密度太高。而且两者之间的巨大热膨胀系数会导致它在从生长温度冷却至室温时产生大的拉伸应力,这会引起薄

  https://www.alighting.cn/news/20140509/87721.htm2014/5/9 10:19:47

led晶圆激光刻划技术

激光加工是非接触式加工,作为传统机械锯片切割的替代工艺,激光划片切口非常小,聚焦后的激光微细光斑作用的晶圆表面迅速气化材料,在led有源区之间制造非常细小的切口,从而能够在有限面

  https://www.alighting.cn/resource/20110819/127293.htm2011/8/19 14:31:30

全球十二寸晶圆产出明年成长率29%

国际半导体设备材料产业协会(semi)总裁暨执行长梅耶(stanleyt.myers)十一日表示,全球十二寸晶圆产出今年将

  https://www.alighting.cn/news/2007913/V2647.htm2007/9/13 10:10:03

英国专家用半极性GaN生长高效益led

英国雪菲尔大学(sheffield university)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(applied physics letter)期刊上发布在半极性氮化镓(ga

  https://www.alighting.cn/news/20160304/137600.htm2016/3/4 9:47:40

rubicon开发出基于晶体取向的非对称晶圆工艺

蓝宝石晶圆具有肉眼可视的特殊取向。rubicon已经开发了一种工艺,制作可通过视觉或触觉检测取向的非对称晶圆。这很重要,因为led和半导体制造商采用特殊晶体取向处理蓝宝石晶圆

  https://www.alighting.cn/pingce/20130407/121856.htm2013/4/7 11:08:44

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