站内搜索
led芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(wafer fabrication)、晶圆针测工序(wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initia
https://www.alighting.cn/resource/20161102/145726.htm2016/11/2 14:00:34
随着物联网时代来临，全球终端电子产品渐渐走向多功能整合及低功耗设计，因而使得可将多颗裸晶整合在单一封装中的sip技术日益受到关注。除了既有的封测大厂积极扩大sip制造产能外，晶
https://www.alighting.cn/resource/20161031/145651.htm2016/10/31 13:56:34
对在SiC衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、si)上，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56
对在SiC衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59
与其他两种衬底的led 芯片相比,以SiC 为衬底的led 芯片具有最好的散热性能,因此非均匀温度场对其载流子输运及复合的影响最小,使得活性区中的载流子浓度显著增强,漏电流明显下
https://www.alighting.cn/resource/20141201/123990.htm2014/12/1 11:45:37
在工艺上加速进步的步伐会引入新的影响良品率的缺陷种类，其中一些类型的缺陷并不能被光学检测手段所检测到。这些缺陷被称之为“非可见性缺陷(non visual defects，nvd)
https://www.alighting.cn/resource/20141104/124129.htm2014/11/4 12:37:24
在晶圆熔融键合技术上的最新进展已显示了它在提升键合对准精度上的能力过去的30年中，尺寸缩小和摩尔定律己成为硅平面工艺领域推动成本降低的主要动力。在这期间，主要的技术进步都
https://www.alighting.cn/resource/20141104/124133.htm2014/11/4 10:35:50
本文介绍了关于新材料器件进展与gan器件封装技术研究，有兴趣的可以下载附件的pdf学习噢！~
https://www.alighting.cn/resource/20141103/124134.htm2014/11/3 13:47:38
介绍了一种带有凹槽和硅通孔(throughsiliconvia，tsv)的硅基制备以及晶圆级白光led 的封装方法。针对硅基大功率led 的封装结构建立了热传导模型，并通过有限
https://www.alighting.cn/2014/7/24 9:53:19
