站内搜索
近日，广东深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司，成功开发了国内首台专用于大规模高质量ZnO半导体透明导电薄膜材料生长的量产型mocvd设备。
https://www.alighting.cn/pingce/20130114/121974.htm2013/1/14 9:54:10
型n－ZnO/i-mgo/p-si双异质结p-i-n紫外探测器结构，研制成功si基ZnO可见盲紫外探测器原理型器件。其独创的硅基氧化锌单晶材料生长工艺以及新型器件结构设计与制备技术为我国在光电子技术领域的自主创
https://www.alighting.cn/resource/20090610/128702.htm2009/6/10 0:00:00
利用pld方法沉积了si基ZnO薄膜，通过结构和电学特性的测量，研究了在o2气氛下退火温度对ZnO薄膜微结构的改善。研究得到：o2气氛下700℃退火，ZnO薄膜中出现施主深能级局
https://www.alighting.cn/2013/1/22 17:55:42
ZnO作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有很好的化学稳定性和热稳定性,抗辐射损伤能力强,在光电器件、压电器件、表面声波器件等诸多领域有着很好的应用潜力。本文主要介绍制备ZnO薄
https://www.alighting.cn/2013/1/22 17:16:23
采用射频反应磁控溅射方法,在si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了cu掺杂ZnO薄膜。利用x射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127133.htm2011/9/16 14:44:13
阐述了ZnO薄膜材料的结构特点、电学性质和光学特性,详细介绍了各种制备氧化锌薄膜的方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原
https://www.alighting.cn/2013/1/23 10:04:19
本文采用mocvd法在c-al2o3 衬底上生长本征ZnO和cu掺杂ZnO薄膜，利用cu(tmhd)为cucu?掺杂源，通过控制cu源温度(tcu)来控制cu掺杂条件，并利用x射
https://www.alighting.cn/2014/12/17 11:43:13
ZnO既是半导体材料又是压电材料，在nm尺度出现量子限域、小尺寸效应等新性质，使其成为低维结构研究领域的热门课题。本文对ZnO nw在发光二极管、太阳能电池、紫外激光器、纳米发电
https://www.alighting.cn/resource/20130121/126146.htm2013/1/21 10:29:49
在室温条件下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延的ZnO薄膜。采用原子力显微镜(afm)、x射线衍射仪(xrd)、可见-紫外分光光度计系统研究了ZnO薄膜微观结
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127198.htm2011/9/5 14:35:18
采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备ga、p掺杂的ZnO薄膜,分别采用x射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过ga、p掺杂分别得到n、p
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29
