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华灿光电王江波:高效GaNLED的研究进展

2016阿拉丁照明论坛 “光源器件技术发展与市场化” 技术峰会上,华灿光电股份有限公司副总裁王江波做了主题为“高效GaNLED的研究进展”的精彩演讲。

  https://www.alighting.cn/zhanlan/20160610/141024.htm2016/6/10 16:17:39

三安光电GaN薄膜LED获美国专利证书

三安光电称,此发明可改善蓝宝石衬底上GaN外延晶格质量及提高GaNLED取光效率,有效提升照明级白光LED芯片亮度及技术水平。

  https://www.alighting.cn/news/20110914/115709.htm2011/9/14 9:20:32

LED行业未来3年硅 GaN专利战将全面打响

GaN衬底面临一些技术挑战。GaN和硅之间的巨大晶格失配导致了外延层的缺陷密度太高。而且两者之间的巨大热膨胀系数会导致它在从生长温度冷却至室温时产生大的拉伸应力,这会引起薄

  https://www.alighting.cn/news/20140509/87721.htm2014/5/9 10:19:47

欧盟1500万美元资助研究开发高效GaNLED

欧盟近期资助的一个研究项目,代号为newLED,投资1500万美元,将探讨新的方式来建立不需要荧光粉的白光LED,目标是发展高效率、高亮度单片或混合半导体白光GaNLED

  https://www.alighting.cn/news/201335/n850249421.htm2013/3/5 16:47:39

欧盟1500万美元资助研究开发高效GaNLED

欧盟近期资助的一个研究项目,代号为newLED,投资1500万美元,将探讨新的方式来建立不需要荧光粉的白光LED,目标是发展高效率、高亮度单片或混合半导体白光GaNLED

  https://www.alighting.cn/news/201335/n850249421.htm2013/3/5 16:47:29

硅衬底GaN大功率LED芯片荣获 “阿拉丁神灯奖”

在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上,晶能光电硅衬底GaN大功率LED芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖,是目前为止国内唯一获奖的LED芯片产品。

  https://www.alighting.cn/news/20140620/110996.htm2014/6/20 13:21:24

英国专家用半极性GaN生长高效LED

n)或蓝宝石材上生长LED的最新成果。利用在m-plane蓝宝石板上生长的GaN制造的微柱阵列模板,研究人员能在其上过度生长的半极性GaN(11-22)上生长出具有更高量子效

  https://www.alighting.cn/news/20160304/137600.htm2016/3/4 9:47:40

光鋐再订两台ccs mocvd生产GaN LED

nLED。这两台设备将安置于光鋐在台南的工厂内,与两台aix 2600g3 ht mocvd一起工

  https://www.alighting.cn/news/20070525/119895.htm2007/5/25 0:00:00

tae yeon seong:通过增强电流注入和传输来提高GaN发光二极管性能

韩国高丽大学材料科学与工程系主任tae yeon seong 教授在题为《通过增强电流注入和传输来提高GaN发光二极管性能》的报告中首先概括总结GaNLED的应用,然后详细介

  https://www.alighting.cn/news/20080801/104244.htm2008/8/1 0:00:00

孙钱:硅衬底GaN高效LED的最新进展

发副总裁孙钱博士以《硅衬底GaN高效LED的最新进展》为主题,作了精彩分

  https://www.alighting.cn/news/20150610/130039.htm2015/6/10 13:37:30

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