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瑞萨电子株式会社宣布推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件，它们是rjq6020dpm、rjq6021dpm和rjq6022dpm。这些功率器件是瑞萨电子推出的采用碳化硅的第二个功
https://www.alighting.cn/pingce/20120210/122670.htm2012/2/10 18:39:25
科锐公司(nasdaq: cree)将继续引领高效率电子电力模组变革，宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅mosfet功率器件。科锐碳化
https://www.alighting.cn/pingce/20111219/122738.htm2011/12/19 10:45:36
科锐公司推出首款商用全碳化硅功率模组，再次彰显其碳化硅功率技术的优异性能与可靠性。新型高频率模组额定电流100a，额定阻断电压1200v，可实现更高效、更小尺寸及更轻重量的系
https://www.alighting.cn/pingce/20121119/123045.htm2012/11/19 10:44:36
科锐将重新界定大功率应用的性能和能效，推出全新产品系列——50a碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700v z-fet?碳化硅mosfet器件，还包括1200
https://www.alighting.cn/pingce/20120514/122690.htm2012/5/14 9:35:49
科锐公司 (cree, inc) 宣布推出第二代碳化硅 (SiC) 功率mosfet，是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解决方案。这新型1200v耐压功
https://www.alighting.cn/pingce/20130318/122120.htm2013/3/18 10:15:55
科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1cm-2，引起vf偏移的基面位错容量小于0.
https://www.alighting.cn/pingce/20120920/122664.htm2012/9/20 9:45:34
近日，碳化硅功率器件领域的市场领先者cree公司(nasdaq: cree)日前宣布推出最新z-rec?650v 结型肖特基势垒(jbs)二极管系列。
https://www.alighting.cn/pingce/20110111/123106.htm2011/1/11 17:17:17
2014年3月6日，科锐宣布推出新款cpw5 z-rec?高功率碳化硅肖特基二极管以及业界首款商业化量产50a碳化硅整流器。新款二极管产品经过优化设计，使得碳化硅技术能够在50k
https://www.alighting.cn/pingce/20140306/121726.htm2014/3/6 11:16:12
日本知名半导体制造商罗姆株式会社推出的“全SiC”功率模块(额定1200v/100a)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC(silicon carbide：碳化
https://www.alighting.cn/pingce/20120323/122874.htm2012/3/23 16:07:24
罗姆株式会开发出实现业界最小※正向电压(vf=1.35v)的第二代SiC(silicon carbide：碳化硅)肖特基势垒二极管“scs210ag/am”(600v/10
https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122390.htm2012/6/14 10:25:31
