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科锐公司(cree)宣布推出可适用于军用和商用s 波段雷达中的高效GaN hemt 晶体管。全新60w GaN hemt psat 晶体管帮助降低军用和民用雷达系统，对于高功率放
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122233.htm2012/7/11 9:33:21
日本碍子2012年4月25日发布消息称，开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个晶圆表面实现
https://www.alighting.cn/pingce/20120508/122438.htm2012/5/8 11:17:20
tom dekker 表示：“与同频率范围的 gaas 电晶体相比，科锐0.25微米GaN hemt裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122143.htm2012/7/11 18:04:27
韩国首尔半导体(seoul semiconductor)开发出了在1mm见方蓝色led芯片上组合荧光材料，实现了光通量为500lm左右的白色。该开发品的特点是比以前的产品更容易提高
https://www.alighting.cn/pingce/20130123/121934.htm2013/1/23 11:10:35
近日，世界级mocvd厂商-veeco宣布：其引进的turbodisc ? maxbright?氮化镓(GaN)有机金属化学气相沉积法(mocvd)多反应器系统，用于生
https://www.alighting.cn/pingce/20110210/123082.htm2011/2/10 13:30:04
近日，从事GaN外延基板开发及销售等业务的风险企业powdec，公开开发表了利用GaN类半导体的肖特基势垒二极管(sbd)，预估2012年前量产。
https://www.alighting.cn/pingce/20101206/123155.htm2010/12/6 9:26:47
据日本经济新闻报导，三菱化学与蓝光led之父中村修二(shuji nakamura)已成功透过液相沉积法生产出氮化镓(GaN)晶体。报导指出，从上述晶体切割出的基板其制造成本仅
https://www.alighting.cn/pingce/20101208/123145.htm2010/12/8 13:40:04
GaN基高压交流110v-led芯片，为湘能华磊光电股份有限公司2019神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20190129/160228.htm2019/1/29 13:37:37
2018年2月23日，松下宣布研发出新型mis结构的si基GaN功率晶体管，可以连续稳定的工作，阈值电压不会发生变化。这项技术有望进一步增加GaN功率晶体管的工作速度，可以进一
https://www.alighting.cn/pingce/20180227/155307.htm2018/2/27 10:02:54
东芝照明新产品中因小型化而空出的空间追加了调光功能。借助相位调光控制用ic以及调光控制软件，不仅led专用的调光器，就连白炽灯用调光器也支持“premium调光technology
https://www.alighting.cn/pingce/20150304/121432.htm2015/3/4 14:37:49
