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中微半导体设备(上海)有限公司(以下简称“中微”)于本周发布了面向22纳米及以下芯片生产的第二代300毫米甚高频去耦合反应离子刻蚀设备 -- primo ad-rie?。基于已
https://www.alighting.cn/pingce/20110712/122857.htm2011/7/12 11:12:24
近日，由北方微电子开发的eledetm330高密度等离子icp刻蚀机完成组装调试，正式交付客户使用。eledetm330是北方微电子半导体刻蚀技术在led领域的成功扩展，该设
https://www.alighting.cn/news/20100608/119238.htm2010/6/8 0:00:00
每个hbled制造商的目标都是花更少的钱获得更多的光输出。面对强大的竞争和众多技术障碍，至关重要的是所有的生产步骤的推进都要产生最佳的效果。优化的等离子刻蚀提供了几种方法以改善器
https://www.alighting.cn/resource/20111125/126851.htm2011/11/25 13:48:27
图形化衬底(pss)技术可以有效地减少外延材料的位错和缺陷，在氮化物器件制备中得到了广泛的应用。但是由于蓝宝石具有稳定的化学和物理性质，使得很难进行刻蚀和图形化制作。
https://www.alighting.cn/2012/4/9 13:18:31
深入研究了gap材料在高密度感应耦合等离子体刻蚀系统中刻蚀选择比和刻蚀速率随刻蚀系统的源功率、射频功率、腔室压强的变化规律,即通过改变其中一个参数而保持其它参数不变来得出变化规
https://www.alighting.cn/resource/20130401/125782.htm2013/4/1 11:25:24
本文研究了icp刻蚀蓝宝石中工艺参数对蓝宝石刻蚀速率的影响规律,所用气体为cl2/bcl3,研究结果表明,蓝宝石的刻蚀速率随着icp功率、rf功率和气体总流量的增大单调增大;随
https://www.alighting.cn/resource/20130416/125723.htm2013/4/16 10:49:04
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
研究表明:在选择粒径为720nm的ps球、刻蚀剩余粒径为240nm、金属膜厚度为120nm的条件下,满足cie红光显示标准的共振波长为704. 06nm,强度透射率为52%,透射
https://www.alighting.cn/resource/20150306/123515.htm2015/3/6 9:38:38
led设备企业面临着怎样的发展机遇与挑战?led刻蚀设备市场现状与未来发展趋势又是怎样……这些都引起了行业人士的广泛关注。为此，新世纪led网记者特邀北方微电子公司市场营销总监纪
https://www.alighting.cn/news/20110930/85671.htm2011/9/30 15:25:48
作为国产高端led设备制造商的代表，北方微电子凭借其过硬的技术基础和本地化的服务优势，在产业的快速成长中取得了骄人的成绩。
https://www.alighting.cn/news/20110505/115974.htm2011/5/5 9:27:39
