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led产品外延结构的的内量子效率(iqe)对其亮度有着决定性的影响,而很多人的误解是iqe由mocvd工艺决定,其实iqe应该是由led照明外延材料的设计决定。而国内缺少的恰
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11
何提高外量子效率,即芯片的光取效率,提高芯片散热性能以及在降低成本上进行采用新结构新工艺。 采用纳米级的六角棱锥结构技术做出白光led,可以实现半极性、非极性衬底上生长gan,有利于
http://blog.alighting.cn/188279/archive/2013/8/7/322937.html2013/8/7 9:30:39
s》正在投票中,它将会替代cie 127出版物。 3 led发光效率极限值 长期以来,半导体研究专家探索各种新技术以提高led的内、外量子效率,2006年已有小功率白光le
http://blog.alighting.cn/1019/archive/2007/11/26/7980.html2007/11/26 19:28:00
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282499.html2012/7/19 10:32:53
出的光只有入射角≤25.8度这个空间立体角内的光,据报导,目前gan芯片的外量子效率在30%-40%左右,因此,由于芯片晶体的内部吸收,能射出到晶体外面光线的比例很少。据报导,目
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134134.html2011/2/20 23:01:00
从今年9月1日起,欧盟范围内禁售白炽灯泡。白炽灯泡的发光效率仅有5%,其余95%全部为热量消耗,白炽灯泡遭到淘汰不可避免。现在照明市场上,节能高效的led(发光二极管)灯具无
http://blog.alighting.cn/145509/archive/2012/9/4/289077.html2012/9/4 12:59:18
瞬态光谱量子分析及其测量.pdf
http://blog.alighting.cn/1165/archive/2007/11/26/8152.html2007/11/26 19:28:00
阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增
http://blog.alighting.cn/Autumn/archive/2010/11/18/115038.html2010/11/18 17:03:00
用,例如荧光、dna测序、天文学和拉曼光谱等情况。qe65000型科研级光谱仪的量子效率可达90%,并具有很高的信噪比和快速的信号处理能力。 量子效率高达90
http://blog.alighting.cn/bosheng987/archive/2010/4/10/39801.html2010/4/10 10:34:00
http://blog.alighting.cn/bosheng1987/archive/2010/7/9/54869.html2010/7/9 16:19:00