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+ 激活的成果已成功地应用于制作各种性能白光 LED 。本文将介绍和评述几种 eu2+ 掺杂的氮化物和氮氧化物荧光体发光性质及其制作的高水平白光 LED 最新结果，并对发展白光 le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134154.html2011/2/20 23:08:00
灯。 van de walle教授和他的同事们正在改进高效能，无毒且长寿命的氮化物基LED性能。他们深入研究在长时间高功率驱动下LED光衰这一现象。造成这一现象的原因已经引发了很
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222273.html2011/6/20 22:36:00
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/1/167917.html2011/5/1 23:15:00
相反应但不放出光子的现象。研究者还发现包含散射机制的非直接的俄歇效应非常显着。这一发现使得在以往理论研究中，用直接俄歇过程预测LED光衰和实际测量结果不符的现象得以解释。在氮化物
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222259.html2011/6/20 22:29:00
aixtron的硒今天宣布，从现有的客户吉林大学中国新的mocvd系统秩序。合同是1 ccs的1 3x2的-英寸晶圆的配置，这将被专用镓氮化物材料的成长紫外线和白堆指示
http://blog.alighting.cn/yinjideng/archive/2012/8/18/286384.html2012/8/18 13:47:06
氮化镓衬底用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
i材料,其中许多要用化合物半导体材料并入外延层中。掩埋层半导体利用双极晶体管元件内重掺杂区进行物理隔离,这也是在外延加工中沉积的。目前,200 mm晶片中,外延片占1/3。2000
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
解白光，因为荧光粉的材料对于白光LED的衰减反应很大。市面最支流的荧光粉是yag钇铝石榴石荧光粉、硅酸盐荧光粉、氮化物荧光粉，与蓝光LED芯片相比荧光粉有减速老化白光LED的作
http://blog.alighting.cn/leddeng336/archive/2010/2/24/29473.html2010/2/24 14:26:00
http://blog.alighting.cn/159060/archive/2013/1/20/308130.html2013/1/20 19:12:14
膜,这就很难避免晶格匹配这个大问题。一般都是在蓝宝石衬底上先生长氮化物的缓冲层,然后再异质外延inn薄膜,研究显示,gan缓冲层上生长的inn薄膜比较理想。mbe技术生长可以精确控
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
