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tdi公司，复合氮化物半导体材料领先开发商和供应商，宣布推出世界首个氮化铟镓衬底材料。
https://www.alighting.cn/news/20070821/121190.htm2007/8/21 0:00:00
led 的核心材料是镓(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前，基于宽禁带半导体材料氮化镓(gan)和铟氮化稼(ingan)的是最具有商业应用价
https://www.alighting.cn/news/20140103/98638.htm2014/1/3 15:16:29
氮化铟镓(ingan)是蓝光led的关键材料，最近有国际研究团队发表有关氮化铟镓薄膜中铟(indium)含量受限的核心机制，该研究在今年一月刊载于期刊《physica
https://www.alighting.cn/news/20180223/155245.htm2018/2/23 14:43:04
用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56
showadenkok.k公司宣布将会在日本千叶的工厂投资接近4100万美元来扩大基于氮化镓蓝光led的生产力达到2亿个单位每月。蓝光led芯片的产量也将会在今年底从3000万
https://www.alighting.cn/news/2007724/V2534.htm2007/7/24 14:16:00
近日，东芝公司宣布推出采用硅基氮化镓(gan-on-si)制程打造的白色led产品。
https://www.alighting.cn/pingce/20130801/121752.htm2013/8/1 10:43:48
历经过去几年惨烈价格战，led厂商纷纷寻求新市场并改变策略。晶电研发中心副总经理谢明勋在2015年ledforum演讲中表示，晶电选择切入利基市场，聚焦氮化镓功率元件(ga
https://www.alighting.cn/news/20151103/133844.htm2015/11/3 9:26:56
据辽宁盘锦高新技术产业开发区报道，近日，辽宁百思特达半导体科技有限公司氮化镓项目正式开工建设，这距离该项目10月4日落户盘锦高新区还不足一个月时间。
https://www.alighting.cn/news/20191111/164987.htm2019/11/11 9:18:30
据报道，美国公司soraa计划在纽约锡拉丘兹开设一家半导体制造工厂。该公司将与纽约州达成合作，共同新建一家先进的氮化镓基板(gan on gan)led制造工厂。据悉，新工厂将雇
https://www.alighting.cn/news/20151102/133806.htm2015/11/2 10:00:54
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
