氮化镓(GaN)-阿拉丁站内搜索引擎

氮化镓衬底用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓

http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00

aixtron的硒今天宣布，从现有的客户吉林大学中国新的mocvd系统秩序。合同是1 ccs的1 3x2的-英寸晶圆的配置，这将被专用镓氮化物材料的成长紫外线和白堆指示

http://blog.alighting.cn/yinjideng/archive/2012/8/18/286384.html2012/8/18 13:47:06

为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术。目前已经在砷化镓、磷化铟等光电子材料生产中得到广泛应用。日本科学家nakamura将mocvd应用氮化镓材料制备,利用他自己研

http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

将光发射器与硅电子学集成起来，将加速和扩大氮化镓在光电子和微电子方面的应用。　　一、用硅作GaN led衬底的优缺点　　用硅作GaN发光二极管（led）衬底的优点主要在

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00

镓(GaN)和铟氮化稼(inGaN)的是最具有商业运用价值的led灯资料之一。无极灯全球led照明疾速开展，将会股动镓和铟需要的疾速增长，也会股动越来越多的公司和自己重视铟和

http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/5/322838.html2013/8/5 14:38:28

ims research最新发布的“氮化镓季度led供需报告”中指出，2011年氮化镓（蓝/绿）led市场销量预计将增长49％至62亿个，销售额将增长38％至108亿美元，

http://blog.alighting.cn/李高/archive/2011/7/11/229448.html2011/7/11 21:43:00

量以光的形式激發釋出。自從1960年代利用gaasp液相外延技術生產出第一顆實用的紅光發光二極體，直到1993年日本日亞化學公司發展出氮化鎵(GaN)發光二極體，突破藍光發光二極體

http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/27/46232.html2010/5/27 0:09:00

于光电子和微电子器件领域。si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介绍了si衬底GaN基材料生长及特性方面的研究现

http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00

摘要：GaN具有禁带宽、热导率高等特点，广泛应用于光电子和微电子器件领域。si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00

一、前言GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与sic、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代ge、si半导

http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00