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利用实验室制备的a-igzo tft 器件进行参数提取后建立的spice 仿真模型并进行仿真计算,对电压驱动型2t1c 和4t1c 的像素电路进行稳定性的比较研究,证明了4t1c
https://www.alighting.cn/2015/1/4 13:44:07
tft-lcd结构。薄膜晶体管液晶显示器由显示屏、背光源及驱动电路三大核心部件组成。
https://www.alighting.cn/resource/2007912/V12781.htm2007/9/12 13:59:17
域有限差分方法进一步讨论了无序光子晶体对石墨点阵柱状中心柱光子晶体gan发光二极管模型光输出效率的影响·计算结果表明,无序对这种光子晶体发光二极管模型光输出效率的影响较小,且这种影
https://www.alighting.cn/2013/2/1 13:16:45
为了提高gan基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
tft（thin film transistor）lcd即薄膜场效应晶体管lcd，是有源矩阵类型液晶显示器（am-lcd）中的一种。tft-lcd产业技术成熟，大规模生产的成品率
https://www.alighting.cn/resource/20140829/124311.htm2014/8/29 12:02:06
mocvd技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此，mocvd仍是一种发展中的半导体超精细加工技术，mocvd技术的进一步发展将会给微电子技术和光电子技术带
https://www.alighting.cn/resource/20130228/125982.htm2013/2/28 10:33:06
m)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些zno薄膜在生长温度400℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
采用射频反应磁控溅射方法,在si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了cu掺杂zno薄膜。利用x射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127133.htm2011/9/16 14:44:13
用脉冲激光沉积(pld)方法在si(111)和蓝宝石衬底上制备的氧化锌薄膜,在不同的退火温度和不同的退火氛围中进行了退火处理.退火温度及退火氛围对zno薄膜的结构和发光特性的影响
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127191.htm2011/9/6 14:09:53
有机电致发光二极管(oled)是一种全新的显示技术，其显示质量可与薄膜晶体管有源驱动液晶显示器(tfr-lcd)相比拟，而价格远比其低廉，它将对广泛使用的lcd技术发起挑战。
https://www.alighting.cn/2014/7/30 10:21:32
