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热辐射散热法的优点是,在机壳密闭而且很薄、热量无法通过对流转移的情况下,可以释放出热量。一些技术人员很早以前就知道这种优点,但充分利用的先例少之又少。不过,最近采用热辐射散
https://www.alighting.cn/resource/20150317/123457.htm2015/3/17 11:35:40
本文选用cbp 为主体材料,绿色磷光材料ir(ppy)3 为客体发光材料,对其高掺杂浓度下的器件机理进行了初步分析。
https://www.alighting.cn/2015/3/17 10:56:36
在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。
https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36
实验结果表明,中间层的加入促进了发光层中电子和空穴的平衡并抑制了发光层之间的能量转移。加入适当厚度的中间层之后,器件的性能得到了明显的提升,相比于无中间层器件,最高电流效率由3
https://www.alighting.cn/2015/2/5 10:40:43
6月份《国家集成电路产业发展推进纲要》出台,10月份半导体产业扶持基金正式挂牌,行业内整合并购如火如荼。在国家政策扶持及整个半导体产业链逐渐由台韩向大陆转移的背景下,我们持续看
https://www.alighting.cn/2015/1/20 14:28:00
将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led 器件,并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
提高led芯片的出光效率是解决led光源大功率化和可靠性的根本。根据led芯片所用衬底材料的不同,总结了近年来提高gan基led出光效率的研究进展,介绍了新的设计思路、工艺结构与制
https://www.alighting.cn/2014/10/24 11:41:38
目前led 器件已达到的光效为150lm/w,与理论预测的指标300lm/w 还存着在很大的差距,光效仍有很大的提升空间。
https://www.alighting.cn/resource/20140627/124484.htm2014/6/27 11:03:45
近几年来,硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点,在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具有垂直结构的gan 基led, 并对其电学和光学特性进行了测
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48