站内搜索
据日本经济新闻报导，三菱化学与蓝光led之父中村修二(shuji nakamura)已成功透过液相沉积法生产出氮化镓(GaN)晶体。报导指出，从上述晶体切割出的基板其制造成本仅
https://www.alighting.cn/pingce/20101208/123145.htm2010/12/8 13:40:04
业内人士介绍：替换基板的led芯片制造工艺是，先在蓝宝石基板上使GaN系半导体结晶外延生长，然后将mo基板或mocu基板粘贴在GaN系半导体结晶上。随后揭下蓝宝石基板，切割成le
https://www.alighting.cn/pingce/20110211/123079.htm2011/2/11 13:03:34
近日，从事GaN外延基板开发及销售等业务的风险企业powdec，公开开发表了利用GaN类半导体的肖特基势垒二极管(sbd)，预估2012年前量产。
https://www.alighting.cn/pingce/20101206/123155.htm2010/12/6 9:26:47
科锐公司(cree)宣布推出可适用于军用和商用s 波段雷达中的高效GaN hemt 晶体管。全新60w GaN hemt psat 晶体管帮助降低军用和民用雷达系统，对于高功率放
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122233.htm2012/7/11 9:33:21
日商air water inc.20日发布新闻稿宣布，已成功研发出可生产全球最大尺寸的“碳化矽(sic)”基板量产技术，借由该技术所生产的sic基板尺寸可达8寸(现行主流为4寸)。
https://www.alighting.cn/pingce/20130522/122098.htm2013/5/22 10:21:38
日本碍子2012年4月25日发布消息称，开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个晶圆表面实现
https://www.alighting.cn/pingce/20120508/122438.htm2012/5/8 11:17:20
2018年2月23日，松下宣布研发出新型mis结构的si基GaN功率晶体管，可以连续稳定的工作，阈值电压不会发生变化。这项技术有望进一步增加GaN功率晶体管的工作速度，可以进一
https://www.alighting.cn/pingce/20180227/155307.htm2018/2/27 10:02:54
近日，kyma科技公司宣布生产出直径为10英寸的蓝宝石氮化铝(aln-on-sapphire)基板。该蓝宝石氮化铝基板使用了专利pvdnc技术，可以提高蓝光、绿光和白光led的产
https://www.alighting.cn/pingce/20120606/122345.htm2012/6/6 9:53:50
tom dekker 表示：“与同频率范围的 gaas 电晶体相比，科锐0.25微米GaN hemt裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122143.htm2012/7/11 18:04:27
德国欧司朗(osram)公司日前成功地将氮化镓发光材料层置于直径为150毫米的矽晶圆基板上，制造出高性能蓝白光发光二极管(led)原型矽芯片。这是世界上首次利用矽晶圆基板取代蓝宝
https://www.alighting.cn/pingce/20120223/122645.htm2012/2/23 11:02:48
