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韩国首尔半导体(seoul semiconductor)开发出了在1mm见方蓝色led芯片上组合荧光材料，实现了光通量为500lm左右的白色。该开发品的特点是比以前的产品更容易提
https://www.alighting.cn/pingce/20130123/121934.htm2013/1/23 11:10:35
tom dekker 表示：“与同频率范围的 gaas 电晶体相比，科锐0.25微米GaN hemt裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122143.htm2012/7/11 18:04:27
科锐公司(cree)宣布推出可适用于军用和商用s 波段雷达中的高效GaN hemt 晶体管。全新60w GaN hemt psat 晶体管帮助降低军用和民用雷达系统，对于高功率放
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122233.htm2012/7/11 9:33:21
GaN基高压交流110v-led芯片，为湘能华磊光电股份有限公司2019神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20190129/160228.htm2019/1/29 13:37:37
日本碍子2012年4月25日发布消息称，开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个晶圆表面实现
https://www.alighting.cn/pingce/20120508/122438.htm2012/5/8 11:17:20
npola”使用来自威宝母公司三菱化学株式会社的专用氮化镓(GaN)衬底用于氮化镓的外延生长，从而取代蓝宝石或碳化硅衬底。首尔半导体的 专利“npola”结构最大限度地减少活跃层
https://www.alighting.cn/pingce/20130117/122147.htm2013/1/17 10:03:20
led照明技术与解决方案的研发与制造领导厂商bridgelux 公司，以及全球领导半导体制造商toshiba公司，今日共同宣布成功开发出业界最高水准的8吋氮化镓上矽(GaN o
https://www.alighting.cn/pingce/20120601/122490.htm2012/6/1 10:04:57
此次所开发之产品，藉由将红绿双色芯片led安装于与单色芯片型相同尺寸之1.6x0.8mm封装，可节省空间并提供多样色彩。 相较于传统双色式(1.5x1.3mm)，不仅减少35
https://www.alighting.cn/pingce/20170810/152195.htm2017/8/10 16:12:06
verticle 公司近日宣布推出世界上第一款六边形 led 芯片。以其六边形外形命名的蜂窝型 led 芯片是一个垂直结构芯片，专门为大功率led应用所设计。
https://www.alighting.cn/pingce/20101130/123161.htm2010/11/30 10:45:41
倒装焊大功率led芯片、高压芯片和芯片级模组技术，为广东晶科电子股份有限公司2017神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20170325/149223.htm2017/3/25 15:40:09
