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在si衬底上生长了GaN基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板GaN基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
采取蒙特卡罗光线追踪方法，模拟GaN基倒装led芯片的光提取效率，比较了蓝宝石衬底剥离前后，蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层下led光提取效率的变化，并对粗化微元结构和尺寸
https://www.alighting.cn/resource/20140530/124544.htm2014/5/30 13:21:19
采用了有限元方法建立了GaN基倒桩led芯片的三维热学模型，并对其温度分布进行模拟，比较了再不同凸点分布，不同粘结层材料与厚度、不同蓝宝石衬底厚度及蓝宝石图形化下的倒装芯片温度分
https://www.alighting.cn/resource/20141126/124009.htm2014/11/26 15:05:31
本工作对比研究了蓝宝石图形衬底(pss)和平面衬底(non-pss)上制备GaN基45mil功率型led芯片的光电特性。相比较平面衬底，在pss衬底上制备的大功率芯片的发光效率提
https://www.alighting.cn/resource/20130305/125961.htm2013/3/5 10:44:44
用同种GaN基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明：GaN基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺寸大
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45
本文首先综述了GaN基材料的基本特性，分析了GaN基蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延，p型掺杂，欧姆接触，刻蚀工艺，芯片切割技术，介绍了目前各项技术的工艺现状，最后指
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21
在si衬底上生长了GaN基led外延材料，分别转移到新的硅基板和铜基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。
https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36
本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ito 表面粗化,有效地提高了led芯片的输出光功率。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 10:18:00
与正装led相比,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1059.htm2010/1/18 11:25:13
采用x光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN2led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN2led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27
