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延片生长技术采用这种技术可以进一步减少位元错密度,改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
早，最近也有数家企业高调进入该领域，但从目前的市场销售来看，真正形成较大规模的led用蓝宝石晶体生长及衬底片制备的企业还寥寥无几，国内led外延企业所需的蓝宝石衬底仍然主要依赖进
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/4/8/150278.html2011/4/8 13:10:00
度适合。?ゼbr②可获得电导率高的p型和n型材料。③可获得完整性好的优质晶体。④发光复合几率大。外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
管它能产生深亚微米尺度的光子晶体图形，但绝大多数的led晶片厂中都没有这种昂贵的设备。 led入主液晶电视背光 图1.（左）感光纳米压印光刻的主要步骤包括：使用透明的石英模板压制晶
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120518.html2010/12/13 22:51:00
卢比肯技术放置多个单位的的泽塔300系列蓝宝石衬底和晶圆生产从圣何塞基于泽塔仪器的光学轮廓的顺序， 该公司将使用蓝宝石基板的检查和计量泽塔- 300系列光廓线仪，以帮助提高良率
http://blog.alighting.cn/yinjideng/archive/2012/8/19/286400.html2012/8/19 13:18:00
术创新”为主题的报告会议。（中心主任李世玮教授主持会议） 活动吸引了国内外多家蓝宝石厂商及产业链厂商到场。在持续了一整天的论坛上，与会代表就蓝宝石晶体生长方式、蓝宝石修整、蓝宝石切
http://blog.alighting.cn/lishiwei/archive/2013/9/9/325558.html2013/9/9 14:53:10
外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition,简称mocvd)技术生长iii-
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
状)结构的效果。同时再镀上金属反射层(al ag au cr pt )。芯片贴合至热沉芯片后,将发光芯片基板(蓝宝石、砷化镓、硅)移除，在发光芯片n型区表面做二维光子晶体制程，形成垂
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
差(dislocation-free)的控制主要为将排差局限在颈部的成长。3、晶冠成长(crown growth)长完颈部后,慢慢地降低拉速与温度,使颈部的直径逐渐增加到所需的大校4、晶体成
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于gan（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯
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