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底的LED,实现低成本,也要通过gan衬底导致高效、大面积、单灯大功率的实现,以及带动的工艺技术的简化和成品率的大大提高。半导体照明一旦成为现实,其意义不亚于爱迪生发明白炽灯。一旦在
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
于光电子和微电子器件领域。Si衬底gan基材料及器件的研制将进一步促进gan基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介绍了Si衬底gan基材料生长及特性方面的研究现
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
n LED外延片和新基板焊接剥离技术，利用lp-mocvd系统在Si(111)衬底上成功生长出了高质量的ingan mqw蓝光LED外延片，x射线双晶对称和非对称摇摆曲线的半高宽已经达
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
Si衬底LED芯片制造工艺 Si衬底LED封装技术 解决方案： 采用多种在线控制技术 通过调节p型层镁浓度结构 采用多层金属结构 1993年世
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
底碳化硅衬底(美国的cree公司专门采用Sic材料作为衬底)的LED芯片电极是l型电极,电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好,有利于做成面积较大的大功率器
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
e公司专门采用Sic材料作为衬底）的LED芯片电极是l型电极，电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。采用碳化硅衬底的le
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
于LED的制造成本将大大降低。这是不仅因为Si衬底本身的价格比目前使用的蓝宝石和Sic衬底便宜很多，而且可以使用比蓝宝石和Sic衬底的尺寸更大的衬底（例如使用4英寸的Si片衬底）以提
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
目前大功率LED灯珠的分类的标准我总结有三种:其中第一种是根据功率大小可分为0.5w,1w,3w,5w,10w....100w不等,根据封装后成型产品的总的功率而言不同而不同.
http://blog.alighting.cn/188675/archive/2013/7/10/320744.html2013/7/10 16:52:57
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和Sic,Si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
械加工性能比较差。 另外,Sic衬底吸收380 nm以下的紫外光,不适合用来研发380 nm以下的紫外LED。由于Sic衬底优异的的导电性能和导热性能,不需要象al2o3衬底上功率
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
