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昭和电工宣布，将功率半导体器件用4英寸SiC外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。
https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55
本文阐述了led晶圆的制作工艺，仅供参考。
https://www.alighting.cn/2013/2/18 14:35:13
激光刻划led刻划线条较传统的机械刻划窄得多，所以使得材料利用率显著提高，因此提高产出效率。另外激光加工是非接触式工艺，刻划带来晶圆微裂纹以及其他损伤更小，这就使得晶圆颗粒之
https://www.alighting.cn/2011/10/21 14:33:06
继6寸晶圆产线陆续启动后，发光二极体(led)制造商已投入8、12寸晶圆的研发，如普瑞光电(bridgelux)即成功以8寸矽晶圆制造的矽基氮化镓(gan-on-silico
https://www.alighting.cn/resource/20110517/127599.htm2011/5/17 17:53:02
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和SiC，si）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
激光加工是非接触式加工，作为传统机械锯片切割的替代工艺，激光划片切口非常小，聚焦后的激光微细光斑作用的晶圆表面迅速气化材料，在led有源区之间制造非常细小的切口，从而能够在有限面
https://www.alighting.cn/resource/20110819/127293.htm2011/8/19 14:31:30
SiC功率组件主要应用于切换频率较高以及尺寸较小的电力电子装置中。然而，这样的趋势正为这类芯片的封装带来新的挑战。典型的杂散参数如电感值，在电路中逐渐成为关键组件。
https://www.alighting.cn/resource/20140411/124685.htm2014/4/11 11:14:58
松下电工成功开发出通过晶圆级接合，将封装有led的晶圆和配备有光传感器的晶圆合计4枚晶圆进行集成封装。该公司为了显示其晶圆级封装（wlp）的技术实力，在“第20届微机械/mems
https://www.alighting.cn/resource/20090805/128723.htm2009/8/5 0:00:00
主要内容：hb-led制造费用分解表、晶圆级芯片市场封装趋势、led封装类型的发展趋势、晶圆级封装技术的注意事项、led wlp的产业发展等。
https://www.alighting.cn/resource/2011/12/6/105355_26.htm2011/12/6 10:53:55
近日，山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径３英寸的SiC单晶；２英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)
https://www.alighting.cn/resource/20070512/128495.htm2007/5/12 0:00:00
