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昨(7)日，科锐(cree)宣布与安森美半导体(on semiconductor)签署多年期协议，将为安森美半导体生产和供应Wolfspeed碳化硅(SiC)晶圆片。
https://www.alighting.cn/news/20190808/163734.htm2019/8/8 9:31:44
5月7日，cree, inc. (nasdaq: cree) 宣布，将投资10亿美元(折合人民币约67.8亿元)用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一
https://www.alighting.cn/news/20190508/161832.htm2019/5/8 9:45:57
近日，科锐(nasdaq: cree)宣布与英飞凌(fse: ifx / otcqx: ifnny)签署长期协议，为英飞凌生产和供应Wolfspeed SiC碳化硅晶圆片。该协
https://www.alighting.cn/news/20180228/155330.htm2018/2/28 10:12:02
瑞萨电子株式会社宣布推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件，它们是rjq6020dpm、rjq6021dpm和rjq6022dpm。这些功率器件是瑞萨电子推出的采用碳化硅的第二个功
https://www.alighting.cn/pingce/20120210/122670.htm2012/2/10 18:39:25
据台湾杂志《新电子》报道，罗姆半导体集团 (rohm semiconductor) 和意法半导体 (st) 宣布与罗姆旗下公司SiCrystal签署一项碳化硅 (SiC) 晶圆长
https://www.alighting.cn/news/20200117/166255.htm2020/1/17 9:44:59
碳化硅(SiC)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12
gt advanced technologies于7月8日推出其新型SiClone(tm) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品
https://www.alighting.cn/news/20130709/112135.htm2013/7/9 12:02:46
科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1cm-2，引起vf偏移的基面位错容量小于0.
https://www.alighting.cn/pingce/20120920/122664.htm2012/9/20 9:45:34
科锐公司(nasdaq: cree)日前宣布推出高品质、低微管的150毫米 4h n型碳化硅外延片。科锐通过推出更大直径的外延片，从而继续引领碳化硅材料市场的发展。
https://www.alighting.cn/news/2012913/n172643429.htm2012/9/13 10:01:17
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28
