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体质量。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利用光刻和刻蚀技术,形成gan窗口和掩膜层条。在随后的生长过程中,晶圆gan首
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
长在蓝宝石或SiC衬底上，但是这两种衬底部都比较昂贵，尤其是碳化硅，而且尺寸都比较小。蓝宝石还有硬度极高和不导电的缺点。为克服上述缺点，人们在用硅作衬底生长gan方面一直不断地进
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
率led产品正常工作。大功率led基板与散热片连接时建议在led基板底部或散热片表面涂敷一层导热硅脂（导热硅脂导热系数≥3.0w/m.k），导热硅脂要求涂敷均匀、适量，再用螺丝压合固
http://blog.alighting.cn/superdz/archive/2010/3/31/39165.html2010/3/31 10:38:00
宗原厂台系ic，质量稳定，良率高。从ic设计，到晶圆，到成品均自行设计生产。欢迎来电咨询！场效应管价格,场效应管型号，mosfet/高压mos管高压mos管/场效应管晶圆/裸
http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/11/21/299428.html2012/11/21 14:14:06
出。如果把一片含有发光二极管的晶圆粘结到一片具有高反射率表面的基板晶圆上,基板晶圆还有能散热,射向基板的光将被反射回并穿过发射区,这就大大提高了总光亮输出。许多材料,如硅,砷化
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230116.html2011/7/18 23:52:00
a technologiescompany)昨(16)日宣布发表专属之8寸外延片级led硅基封装技术,并以此项技术提供高功率led之封装代工服务,对于有高性能需求、微型化以及具成本竞争力的固态式照
http://blog.alighting.cn/VisEraLED/archive/2011/7/26/230915.html2011/7/26 21:39:00
石al2o3和碳化硅SiC衬底。表2-4对五种用于氮化镓生长的衬底材料性能的优劣进行了定性比
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
延片生长技术采用这种技术可以进一步减少位元错密度,改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
定，选择原厂，选择质量的保证。我们不仅可以提供mos管8寸晶圆裸片，也可提供mos管成品。多种选择。如果你需要测试的话我们可以送样品给你们测试，产品不是吹出来的，我们的产品经得起验
http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/12/13/303367.html2012/12/13 15:18:03
源方案设计必备高压mos-6n65裸片，电源控制板5n50晶圆，安定器专用4n65、适配器专用2n65芯片、高频开关电源适用2n50，充电器专用mos管，家电方案设计专用mos管晶
http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/12/13/303371.html2012/12/13 15:20:05
