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钻石底碳化 led的梦幻基材(上)

碳化(SiC)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。

  https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12

钻石底碳化 led的梦幻基材(下)

碳化(SiC)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。

  https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28

SiC外延晶圆产能提高到2.5倍

昭和电工宣布,将功率半导体器件用4英寸SiC外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。

  https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55

蓝宝石, (si),碳化SiC)led衬底材料的选用比较

对于制作led芯来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和led器件的要求进行选择。

  https://www.alighting.cn/resource/20100726/128332.htm2010/7/26 9:54:02

凯乐士碳化材料运用于led散热领域进测试阶段

日前积极将碳化材料运用于led散热领域的凯乐士(kallex)公司,目前已进入测试阶段,该公司所研发的散热涂料已应用于铝合金散热鳍表面之喷涂。将铝鳍喷上碳化散热涂料之

  https://www.alighting.cn/resource/20100105/128760.htm2010/1/5 0:00:00

led外延介绍以及辨别外延质量方法

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基(主要有蓝宝石和SiC,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延

  https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30

用氧化镓制造功率元件 与SiC相比成本低且性能出色[1]

SiC和gan相比,β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下

  https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25

浅谈:如何led外延质量的好坏

外延的生产制作过程是非常复杂,展完外延,接下来就在每张外延随意抽取九点做测试,符合要求的就是良品,其它为不良品(电压偏差很大,波长偏短或偏长等)。

  https://www.alighting.cn/resource/20110517/127604.htm2011/5/17 13:32:57

清华大学研制出同位素纯外延

日前,清华大学工程物理系技术物理研究所利用离心分离技术获得了同位素纯-28,并与本校微电子所合作,在普通上外延成单晶状-28薄膜,并采用这种特殊的研制出两种基本的微电

  https://www.alighting.cn/resource/20040910/128412.htm2004/9/10 0:00:00

晶圆发光技术探索

晶长膜领域中,要求可以同时实现高辉度、低成本、低消费电力的材料製作技术。平面型led的场合,基于发光元件高辉度要求,不断增大发光元件的发光面积,随着该面积变大,消费电力也随着急遽暴

  https://www.alighting.cn/2012/10/11 12:08:00

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