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提高发光二极管的发光效率是当前的一个研究热点。简要介绍了从芯片技术角度提高发光二极管(led)外量子效率的几种途径,生长分布布拉格反射层结构、制作透明衬底、衬底剥离技术、倒装芯
https://www.alighting.cn/resource/20121122/126286.htm2012/11/22 14:06:05
滑有序,借此来提升发光二极管(led)的量子效率。这项美国专利的申请将挑战目前led芯片厂的制程技
https://www.alighting.cn/resource/20090630/128710.htm2009/6/30 0:00:00
美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校(ucsb)与日本科学技术振兴机构创造科学技术推进事业(jst erato)联合开发出了高外部量子效率的无极性发光二级管(led)和半极性led。
https://www.alighting.cn/resource/20061218/128479.htm2006/12/18 0:00:00
为了提高gan基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
明,在20ma注入电流下,器件外量子效率比粗化前提高了80
https://www.alighting.cn/2012/11/20 16:28:27
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展,本文主要介绍了提高gan 基led 外量子效率途径的最新进展,包括芯片非极性面/半极性面生长技术,分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
在led的pn结上施加正向电压时,pn结会有电流流过。电子和空穴在pn结过渡层中复合会产生光子,然而并不是每一对电子和空穴都会产生光子,由于led的pn结作为杂质半导体,存在着材料
https://www.alighting.cn/2011/11/18 16:34:31
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led的发展,本文主要介绍了提高gan基led外量子效率途径的最新进展,包括芯片非极性面/半极性面生长技术,分布布拉格反射层(db
https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35
提高内量子效率要从led的制造材料、pn结外延生长工艺以及led发光层的出光方式上加以研究才可能提高led的nint,这方面经过科技界的不懈努力,已有显着提高,从早期的百分之几
https://www.alighting.cn/2012/11/16 10:46:27
本文详细的介绍了led芯片发光过程中光的萃取以及效率的产生等基本原理,是不错的led外延芯片基础知识,共享于此,希望可以帮助大家学习!
https://www.alighting.cn/resource/20111019/127001.htm2011/10/19 13:47:34